1. 完全的二极管伏安特性曲线
图1-3.01
二级管的完全伏安特性如上图所示(为表示方便,图中横坐标和纵坐标在正半轴和负半轴的尺度是不一样的),解释如下:

(1)在正偏时,当VD很小时,电流险些为0。当VD增大到一定阈值后(图中为0.7V旁边),电流开始极快地以指数级增长(毫安级)。
(2)在反偏时,反向饱和电流Is坚持一个很小值(微安级),不随反偏电压变革。但是当反偏电压达到反向峰值电压PIV时,二极管反向击穿,反向电流连忙增长。
上面的曲线也可以用公式来描述,称为肖克利方程:
个中各参数解释如下:
IS是反向饱和电流,一样平常通过查二极管的数据规格书得到,范例值在10-15~10-13A之间; VD是偏置电压,正偏时为正,反偏时为负;n为空想因子,其值范围可取1~2,一样平常我们取1VT为热电压,一样平常在常温下约为26mV虽然肖克利方程供应了打算二极管电流值的方法,不过一样平常在实际中我们不太会真用它去打算,由于根据二极管实际的伏安特性曲线和根据理论打算出的值有较大差距,见下图所示:
图1-3.02
以是一样平常我们都因此二极管的数据规格书供应的实际数据和曲线为准。
2. 温度影响
做实际的工程项目与学校里做解题最大的差异便是,实际的工程中,你必须要考虑各种繁芜的环境成分的影响。如果产品出了问题,客户和老板可不会跟你理论,结果错便是全错,中间过程对是没有分数的,这点一定要时候复苏记得。
对半导体元器件来讲,最主要的一个影响性能的成分便是温度,温度对二极管伏安特性的影响可见下图:
图1-3.03
当温度升高,二极管正偏的导通阈值电压会降落,而反偏电流会增大,反向击穿电压也增大。
当温度降落,二极管的正偏导通阈值电压会升高,反偏电流会减小,反向击穿电压也减小。
以是,在电子电路设计时,你必须要考虑让你的线路在所有可能的事情温度下都事情正常。不要以为你设计的产品常日都会事情在常温下,对付有些散热条件不是很好的构造来说,局部温度上升到65度以上都是有可能的;如果是在北方地区室外利用,事情温度降落到0度以下也是常常的事。
不仅二极管,往后的三极管、场效应管、集成运放,乃至数字芯片,你也都要考虑一下温度条件的影响。
3. 简化的二极管伏安特性曲线当然,做实际工程设计也并不是一味的哀求更繁芜,有时候也可以简化。对二级管来说,在哀求不太严格、利用余量还挺大的情形下,就可以做如下简化:
图1-3.04
后面在讲解二极管运用电路时,我们会常常利用这一简化模型。
有时为方便初步剖析,还会利用一种更粗糙的简化模型曲线,如下图所示:
图1-3.05
上面这个称为二极管的空想等效模型,即是是将二极管算作是一个单向开关了:正偏时二极管导通,反偏时二极管关断,在正偏导通时二极管上没有压降,在反偏时也没有反向饱和电流。
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