办理问题
1 为什么GND要和强电短接？
2 须要隔离，该当如何进行电路设计?
3 为什么建议用N做GND？
旗子暗记采样的基本原则
旗子暗记采样的基本原则：被测旗子暗记的基准参考和丈量芯片的基准参考须要在同一个参考点上，才能进行有效的丈量。
如何设计可以担保在同一个参考点？把两个基准参考点短接起来。
采样电阻的设计电路
1下图是被测旗子暗记以N为参考点的设计
a被测电流旗子暗记：电流从L流经继电器，流入负载，然后经由1mR采样电阻，再回到N，形成一个完全的电流回路。采样电阻两端的差分电压送入计量芯片HLW8110进行电流旗子暗记的采样。
b被测电压旗子暗记：L线电压通过5个200K电阻和1个1K的电阻进行分压，分压电路是从L到N的一个分压电路，然后将220V旁边的互换电压，降压至220mV旁边送入计量芯片，进行电压旗子暗记的采样。
c计量芯片的基准参考电压旗子暗记：计量芯片的供电电压VDD和GND，内部的VREF电源电路因此GND为基准的一个参考基准电源，被测的交直流旗子暗记因此GND为基准，VREF为参考电平进行的旗子暗记的丈量。
上图的采样电路符合基本原则吗？
符合，被测旗子暗记的基准N和计量芯片供电电源的基准GND，是短接在一起的。
2下图是被测旗子暗记以L为参考点的设计
a被测电流旗子暗记：电流从N流经继电器，流入负载，然后经由1mR采样电阻，再回到L，形成一个完全的电流回路。采样电阻两端的差分电压送入计量芯片HLW8110进行电流旗子暗记的采样。
b被测电压旗子暗记：N线电压通过5个200K电阻和1个1K的电阻进行分压，分压电路是从N到L的一个分压电路，然后将220V旁边的互换电压，降压至220mV旁边送入计量芯片，进行电压旗子暗记的采样。
c计量芯片的基准参考电压旗子暗记：计量芯片的供电电压VDD和GND，内部的VREF电源电路因此GND为基准的一个参考基准电源，被测的交直流旗子暗记因此GND为基准，VREF为参考电平进行的旗子暗记的丈量。
上图的采样电路符合基本原则吗？
符合，被测旗子暗记的基准L和计量芯片供电电源的基准GND，是短接在一起的。
互感器的设计电路
下图是互感器采样的设计电路
从上图可以看出，变比过来的旗子暗记，都以GND为参考点，以是被测旗子暗记的GND和供电电源的GND是在同一个参考点。
上图的采样电路符合基本原则吗？
符合，被测旗子暗记的基准GND和计量芯片供电电源的基准GND，是短接在一起的。
计量电路须要隔离，该当如何设计
由于互感器把互换旗子暗记己经隔离了，以是变比出来的旗子暗记己经是隔离后的旗子暗记，以是不须要进行隔离的处理。
电阻采样电路，由于被采样的旗子暗记是互换强电旗子暗记，以是系统是带有强电的，如果不进行隔离，就比较危险，一是产品外壳具有隔离强电的能力，另一个是系统内部有外部接口，必须要将强电从内部电源系统上进行隔离。
电阻采样电路隔离方案如下：
从上图可以看出，增加了光藕和一组电源，将强电部分（互换旗子暗记和计量芯芯片HLW8110）的旗子暗记都隔离在左侧电路，右侧电路由隔离电源VDD进行供电，从而将强电隔离开。
为什么建议采取N做GND？
为什么建议N做GND，那我们须要理解L、N和大地（保护地）之间的关系，当我们用万用表测试L对保护地的电压时，显示的是220V;用万用表测试N和保护地之间的电压时，万用表显示的只有几V。在系统设计的时候，N的节点远远多于L的节点，以是在N节点在PCB上点有的面积是要超过L的，强电压的面历年夜，危险系数也相对大一些，以是才建议只管即便采取N线做GND。
