以是我们很有必要建立两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中即可。这篇条记紧张分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。
本篇条记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。在STM32F10XXX里，可以通过BOOT1、BOOT0引脚来选择三种不同的模式：
我们要在FLASH中进行硬件仿真调试还是在RAM中进行硬件仿真调试须要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。
在FLASH中进行硬件仿真调试
1、硬件设置
BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。
2、keil设置
本文以keil5为例。步骤如下：
（1）点击如下按钮，修正target的名称：
target的名称是可以随意变动的，我们这里改为FLASH。
（2）点击Project->Options for Target Flash...（也可以点击魔术棒那个图标）进行配置。首先对Target选项卡设置：
设置IROM1的起始地址为0x8000000，大小为0x80000，即FLASH的基地址与大小。设置IRAM1为0x20000000，大小为0x10000，即SRAM的基地址与大小。
（3）Debug选项设置：
调试器根据实际进行选择，我们这里利用的调试器是ULINK2。其它的按默认设置即可，然后点击Settings:
（4）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面：
然后点击全速运行：
在Disassembly窗口中可看到地址为0x0800xxxx，解释代码烧进了FLASH中，这时候就可以像利用其他C措辞IDE调试C措辞程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。
在SRAM中进行硬件仿真调试
在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点，我配置的时候碰着不少问题~
1、硬件设置
BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。
2、keil设置
（1）新建一个target，并修正名称为SRAM：
（2）切换至SRAM Target：
（3）点击Project->Options for Target SRAM ...（也可以点击魔术棒那个图标）Target选项卡设置：
设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（当然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失落）和16KB的RAM。
（4）C/C++选项设置：
为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不须要？这是由于我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，以是须要把中断向量表拷贝到RAM中，干系代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：
实在system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM干系的代码：
把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。但是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，由于这样可以担保SRAM版本与FLASH版本代码的同等性。
（5）Debug设置：
与在FLASH中调试不同的是，这里须要加入.ini文件：
这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容如下：
个中这里的第11行是须要根据实际进行修正的，须要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里由于我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：
以是此处以./Objects来表示。如果以为麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。
其它的按默认设置即可，然后点击Settings，并进行如下设置:
图中我们须要勾选Verify Code Download及Download to FLASH选项，也便是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部 SRAM 中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。 (至于为什么 FLASH 版本的程序不须要勾选，不太清楚) 。
Download Function中的擦除选项配置为Do not Erase。这是由于数据写入到内部 SRAM 中不须要像 FLASH 那样先擦除后写入。 Programming Algorithm 的地址要与我们Target选项卡里设置的地址同等，否则可能会涌现如下缺点：
（6）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面，然后点击全速运行：
在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，解释代码烧进了SRAM中，这时候就可以像利用其他C措辞IDE调试C措辞程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。
以上便是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：
在RAM中调试的优缺陷
以下来自《【野火】零去世角玩转STM32—F429寻衅者V2》。
优点：
1、载程序非常快。 RAM 存储器的写入速率比在内部 FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，因此在 RAM 上调试程序时程序险些是秒下的，对付须要频繁改动代码的调试过程，能节约很多韶光，省去了烦人的擦除与写入 FLASH 过程。其余，STM32 的内部 FLASH 可擦除次数为 1 万次，虽然一样平常的调试过程都不会擦除这么多次导致 FLASH 失落效，但这确实也是一个考虑利用 RAM 的成分。
2、不改写内部 FLASH 的原有程序。
3、对付内部 FLASH 被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到 RAM 上，进行解锁。
缺陷：
1、存储在 RAM 上的程序掉电后会丢失，不能像 FLASH 那样保存。
2、SRAM空间较小。
以上便是本次分享的关于RAM调试与FLASH调试的条记。如有缺点欢迎指出！
感激
