AMD或选择3nm制造“Zen 5c”CCD工艺比“Zen 5”CCD更前辈_架构_缓存

据TechPowerup宣布，基于Zen 5c和Zen 5架构的CCD会采取两种不同的工艺制造，前者为3nm，后者为4nm，量产韶光均为2024年第二季度。
这意味着AMD接下来紧张的产品，包括Granite Ridge、Fire Range和Turin的Zen 5架构的CCD都建立在4nm工艺之上。

据理解，Zen 5c芯片配有32个核心，每16个一组分成两个CCX，而每个CCX共享32MB的L3缓存，每个核心则配有1MB的L2缓存。
除了更多的核心数和更大的缓存容量，更低的事情电压或许也是Zen 5c架构CCD转向更前辈工艺的缘故原由之一。
采取Zen 5c架构的EPYC做事器处理器最多可配备6个CCD，供应最多192个核心。
比较之下，基于Zen 5架构的CCD为单个CCX，只有8个核心，共享32MB的L3缓存。
如果是Zen 5 V-Cache设计，那么会配有更大的L3缓存。

未来AMD还会有“大小核”的架构，也便是采取Zen 5+Zen 5c的单芯片设计，彷佛也会采取4nm工艺制造。