变频器IR2110的内部结构和工作事理_暗记_旗子

IR2110的内部构造和事情事理框图如上图所示。
图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂高下两个功率MOS的驱动脉冲旗子暗记输入端。

SD为保护旗子暗记输入端，当该脚接高电平时，IR2110的输出旗子暗记全被封锁，其对应的输出端恒为低电平；而当该脚接低电平时，IR2110的输出旗子暗记跟随HIN和LIN而变革，在实际电路里，该端接用户的保护电路的输出。
HO和LO是两路驱动旗子暗记输出端，驱动同一桥臂的MOSFET。

IR2110的自举电容选择不好，随意马虎造成芯片破坏或不能正常事情。
VB和VS之间的电容为自举电容。
自举电容电压达到8.3V以上，才能够正常事情，要么采取小容量电容，以提高充电电压，要么直接在VB和VS之间供应10～20V的隔离电源，本电路采取了1µF的自举电容。

为了减少输出谐波，逆变器DC/AC部分一样平常都采取双极性调制，即逆变桥的对管是高频互补通和关断的。

以上便是总结的变频器维修的知识。
如果觉得文章还不错欢迎大家收藏转发。