集成(COB) 封装工艺。大功率LED防爆探照灯采取多颗低功耗的LED灯珠来提高照通亮度并同时兼顾LED芯片散热。由于多颗低功耗LED灯珠组成阵列,其光强与散热并联,由此可增加光强/热阻比进而提高了LED光源可承受高温。剔除LED灌装封胶LED光源一样平常有衬底、灌封胶、围坝胶等材料组成,革去这些材料特殊是高温易损材料围坝胶可提高光源耐温性。
优化出光效率光路和角度时影响出光效率的关键,反射路线长、出光角度不合理都会影响出光效率也是导致系统发热的个中一项缘故原由。对付防爆手电筒厂家研发工程师而言,如何减少光路全反射,优化出光角度,是减少腔体发热、优化LED芯片发热的思路。此外若技能许可可考虑去掉铝基板以提高光态的稳定性和光效比。对付透镜可采取光学玻璃透镜减少光损耗。
倒装芯片工艺:早在15年前,倒装芯片工艺就已经提出并研究。这种工艺是相对付传统正装芯片工艺而言,它采取免衬底胶晶粒直焊技能,成功规避了正装芯片的毛病即表面打线致命伤。采取前辈的直焊技能可有效降落封装热阻,提高光源耐受高温。倒装芯片工艺理念这么前辈为何没能取代正装芯片呢?技能瓶颈制约。倒装工艺目前严重依赖陶瓷基板和铝 (铜)基板,并要经受280度高温的锡焊。高温下焊锡对材料和部件造成破坏。不仅如此,陶瓷基板的反光效率不如传统金属基板,陶瓷基板的导热率和芯片打仗面积有限造成光效难于提高。再次陶瓷材料硬度非常高,对加工成型和安装造成较大的寻衅。两次高温锡焊加上陶瓷基板 、铝基板双重热阻给LED芯片厂家带来非常大的技能门槛。当然除了以上成分,最紧张的还是本钱成分。总结一下便是,倒装芯片工艺出息光明,道路弯曲。目前的演进路线是与镜面铝COM联姻或与荧光薄膜嫁接。
