HC32L130芯片擦写内部flash无法成功_周期_主频

2. 于是去查了一下芯片手册，查看对flash操作的哀求，个中提到，擦写flash的函数必须放在前32K才行。

3.看到这里，我去检讨了一下map文件，找到这个擦写函数的位置，在0x51a4，也便是在大概20.9K旁边的位置，还是很吻合前32K的哀求的。

4. 于是再往下看，看到读等待周期那块内容，创造对flash的读写，是须要根据主频高低来设置读写的等待周期的，主频越高，读写等待周期越高，于是去检讨了一下读写等待周期，创造有配置这个了，代码先读了时钟，按时钟去配置了等待周期。

5.这个问题也打消了，末了想来考虑到是否中断影响，由于测试的时候，没有开启别的中断，一贯正常，而运用中开了systick中断。
后面写flash的时候，把中断关闭，写完在打开，然后问题就没再涌现了。

办理方案便是我上面写的，把稳上面提到的3个点就好，末了最主要也是最随意马虎忽略的，便是写flash的时候，一定要把中断关闭，不然写的时候有中断触发，很可能就出写失落败了。

对flash的操作，各家原厂对MCU的flash对操作的哀求不完备相同，涌现问题的时候，一定要去看看手册有没有什么分外哀求，比如上面提到的华大的HC32L130擦写函数必须在前32K存放，以及不同主频要设置不同的读写等待周期等。

当然，这个最可能忽略也是最主要的，中断！
中断！
中断！