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Dry Etch的机理：先在低压的反应室内导入气体，然后通过射频能量将气体引发成等离子体，再利用等离子体的与晶圆表面进行化学反应和物理反应，来进行薄膜刻蚀，去除部分材质，留下所须要的构造；
特点：紧张为等离子体(含有高活性自由基和离子)进行刻蚀，等离子体含有一定的动能，且个中的自由基具有强烈的氧化性。
工艺上紧张有三类运用：介质刻蚀，单、多晶硅刻蚀，金属刻蚀
（图片来自网络侵删）
A.介质刻蚀
特点：紧张利用损伤机理，个中物理反应比化学反应多。RF power 较高，压力较低。氧化物刻蚀的紧张运用
1.掺杂或没掺杂的硅酸盐玻璃2.打仗孔 (PSG/BPSG)3.过孔 (USG/FSG/Low-K 介质)氮化物刻蚀的紧张运用
1.LOCOS (LPCVD SiN)2.压焊点 (PECVD SiN)干系的化学反应如下:
B.单、多晶硅刻蚀
特点：紧张利用保护机理， 化学反应比物理反应起更大浸染单晶硅紧张运用：
1.浅槽的隔离 (STI)形成。2.深槽电容的天生。3.采取硬掩膜(氮化硅/氧化硅),由于光刻胶可能引起衬底玷污。多晶硅紧张运用：
1.栅电极的形成(最主要的刻蚀),最小CD.2. 多晶硅的局部互连。3. DRAM电容电极的形成。单晶硅的化学反应如下：
多晶硅的化学反应如下:
C.金属刻蚀
特点：与硅刻蚀类似，紧张利用保护机理，化学反应比物理反应起更大浸染。目的：形成金属布线和互连。适宜的金属种类：Al(Cu、Si合金)，W，Ti和TiN，金属硅化物等。干系的化学反应如下：点击上方“芯小虎”关注我，分享更多的芯片知识和新闻！
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