在日前第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨家当链研创趋势展望研讨会上，兆易创新存储器奇迹部产品市场经理张静先容了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向家当技能变革浪潮的创新思考。
“目前兆易创新的Flash出货量已经超过200多亿颗，也可以说我们的Flash支持超过200亿台电子设备的启动。” 张静表示，从大容量到高性能，从低电压到小封装，公司基本做到引领Flash市场的地位。
近些年来，物联网、手机OLED屏幕、5G基站以及汽车电子等新兴领域的推动下，Flash作为非易失落的存储器，凭借其高可靠性的特点，运用领域越来越广泛，同时各种型场景对Flash的容量需求差异很大。
兆易创新自2009年推出第一颗SPI NOR Flash芯片，公司连续十年在市场霸占率排名前三，市场霸占率超过20%；公司产品也从最初只有NOR Flash产品、2种电压类型，容量范围最大仅到128Mb，到目前公司存储器产品包括闪存芯片（NOR Flash、NAND Flash）和动态随机存取存储器（DRAM），容量最大拓展到8GB以及27大产品系列，支持的温度等级从85℃扩展到到车规级125℃。
近些产品尺寸日趋小型化，芯片集成度越来越高，市场对Flash的封装相应提出了不同需求。针对缩小封装，兆易创新推出了业界首颗1.2×1.2mm的USON6封装形式芯片，易于焊接和封装，产品耐用性高；其余公司推出了WLCSP封装，可以做到和裸die封装尺寸大小同等，适用于穿着式产品上。
存储容量需求也日趋升级。赵静表示，当前NOR Flash最大容量做到2Gb，后面是不是还会有更大的容量需求，公司也将持续关注。
其余，随着越来越多的电子设备趋向于便携式、可移动性方向的发展，对低功耗、长续航需求日盛。据理解，目前移动设备、云打算、汽车电子、可穿着等运用的SoC主芯片也在走向7nm及以下的前辈工艺制程，SoC的核心供电电压也降到了1.2V，若利用常规1.8V的NOR Flash，外围电路设计将变得繁芜，产品开拓难度也会提升。
应对这一趋势，兆易创新推出了1.2V SPI NOR Flash产品，在1.2V事情电压下的数据传输速率、读写功耗等关键指标上均达到国际领先水平，可以适配核心电压1.2V的前辈制程SoC，简化了电路设计，读取功耗比较常规1.8V方案最多可以降落约40%。
“兆易创新也一贯在关注和探索未来的发展趋势。”张静表示，在电压和性能方面，兆易创新现在可以做到1.2伏以及400MB每秒，随着前辈工艺制程的进一步发展，公司也会考虑Flash是否须要支持更低电压，以及小封装大容量的封装形式。
