1，晶圆减薄（Grind）
随着晶圆直径的增加，其厚度也相应增加。4inch晶圆一样平常厚度为525um，6寸为625um，8寸775um，12寸925um。过厚的芯片不仅不利于散热，还会导致封装尺寸过大。因此须要将晶圆减薄到50-200um。
晶圆减薄技能紧张有：机器切削，化学机器抛光（cmp），湿法刻蚀，干法刻蚀等。
2，划片切割（Dicing）
它将一个大的晶圆切割成许多单独的小块，每个小块是一个“芯片”（Chip，die），这些芯片是单个集成电路的基本单位。目前比较常见的划片办法有三种：刀片切割，激光切割，等离子切割等。
刀片切割：利用金刚石刀片进行物理切割。这是一种本钱效益较高的传统方法，但会对芯片边缘造成机器应力，而产生崩边（正崩或背崩）。
激光切割：利用高强度的激光精确切割晶圆。这种方法特殊适用于处理薄晶圆或须要极高精度的场景。
等离子切割：利用等离子体束进行切割，适用于繁芜或敏感的集成电路。
3，芯片贴装（Die Attach）
它指的是将一粒粒的芯片固定在基板或框架上。贴装一样平常有三种方法：共晶法，焊接法，导电胶粘贴法等。
共晶法：利用Au和Si可形成共晶体的特点进行共晶熔接。
焊接法：用Pb-Sn合金薄膜作为中间层，在保护气氛中加热，进行熔融焊接。
导电胶粘贴法：将含有银粉的环氧树脂（银浆）涂敷在框架或基板上，再将芯片放置其上，固化后可以将芯片牢牢粘接。
4，打线键合（WB wire bonding）
紧张是用超细的金属线（常日是金或铝线）将芯片上的电极连接到封装的框架或基板上。打线键合包括两种紧张方法——热压键合和超声键合。不过在实际的生产中，会将热压与超声结合在一起利用。
5，塑封（Molding）
塑封是为了保护和隔离芯片、金属引线、框架的内腿以及其他易受损的部分。塑封是将工件和树脂安装在模具中，加热模具，使树脂液化充满模具，降温保持一定韶光后，树脂凝集为固态即可取出。取出后的固态树脂没有经由完备固化，还要在烘箱中进行完备的固化处理。
6，切筋（trimming）
引线框架的各腿是用筋连接着的，起支撑浸染，塑封固化后，须要将其连筋切掉。
7，打标（marking）
在塑封的环氧树脂上打上产品型号，牌号，批次等信息。
8，电镀外脚（Plating）
对袒露在外的引线框架外脚电镀Sn-Pb合金，这样不仅可以提高外脚的抗氧化性，还有利于后续与印刷电路板的焊接。
9，成型
对外脚进行冲压波折，并切掉多余的部分，形成一粒粒的封装产品。
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