电磁炉开机保护电路的浸染是担保电磁炉在待机状态下IGBT不事情，防止电磁炉一开机（未按加热键）就加热的征象涌现。该电路紧张由主控IC（局部）、晶体管Q1 等构成。其详细事情事理如下：
1）电磁炉开机瞬间，主控IC自动送出一个高电平掌握旗子暗记到晶体管Q1的基极，晶体管Q1导通，拉低IGBT栅极电位，1GBT不能事情，从而担保了电磁炉在待机状态下不能加热的事情状态。
2）按下加热键后，主控IC又输出一个低电平旗子暗记给晶体管Q1的基极，使晶体管截止，IGBT栅极电位受控于功率掌握模块，并按照同步旗子暗记及PWM调节旗子暗记进行事情，如下图所示。
2、电磁炉整流滤波电路
电磁炉整流滤波电路是进行AC-DC变换的集成电路，核心元器件是整流桥堆。其详细事情事理如下：
1）它将输入的220V互换电变换成脉动直流电。
2）再经由L形滤波电路（由电感线圈L和电容C2）进行滤波，输出平滑的直 流电。
3）由于电感对脉动电流产生反电动势的浸染，对互换阻值很大，而对直流阻值很小。在整流电路中串入L形滤波电路，可以使电路中的互换身分大部分降落在电感上，而直流身分则从电感线圈流到负载上，从而起到了进一步滤波的浸染。干系电路如下图所示。
3、电磁炉浪涌保护电路
电磁炉浪涌保护电路的浸染是对浪涌冲击进行感知和保护，该电路紧张由电阻、电容、稳压二极管和电压比较器构成。其详细事情事理如下：
1）整流电路的电压经分压电阻R1、R2降压、电容C1滤波后送到电压比较器IC1。
2）通过电压比较器IC1与稳压管ZD1供应的稳定参考电压进行比较，当浪涌电压大于参考电压时，比较器就输岀一个低电平旗子暗记，该低电平旗子暗记使钳位二极管导通 VD1、VD2,从而使IGBT停滞事情，保护IGBT不被烧坏。
4、电磁炉复位电路
电磁炉复位电路的浸染是使电磁炉在开始事情时进行程序复位，大多数电磁炉采取低电平复位。该电路紧张由晶体管、电阻、电容、稳压管等构成。其复位事情事理如下：
1）开机瞬间，由于晶体管Q1还没有导通，集电极送到主控IC的RESET引脚的电平为低电平。
2）主控IC检测到Q1集电极为低电平时就进行程序复位，随后，晶体管Q1导通后，其集电极送到主控IC的RESET电平由低电平变为高电平，复位完成，如图所示。
5、.电磁炉电流测试电路
电磁炉的电流测试电路是用来采样电磁炉的事情电流，并将电流旗子暗记送到电磁炉的检锅电路和功率调度电路，作为电流调度的依据。该电路紧张由电流互感器、二极管、电阻、电容、可调电阻等构成。其事情事理如下：
1）从电流互感器CT300的二次线圈感应的电压经由可调电阻RP1分压。
2）经二极管VD4~VD7整流、电阻R30、R31分压之后得到一个电流旗子暗记。
3）将该旗子暗记送到主控芯片可以作为电磁炉检测锅具和调度输出功率等电流取样旗子暗记，如图所示。
6、电磁炉过电流保护电路
电磁炉的过电流保护电路是用来保护电磁炉的电流不过载的一种电路。该电路紧张由两个稳压二极管和钳位二极管、电阻、晶体管、电容构成。其详细事情事理如下：
1） 当电磁炉电流正常时，晶体管Q1因没有偏置电压而截止。
2） 当电磁炉电流过大时，稳压二极管Z1被击穿，晶体管Q1得到偏置电压而导通，同时晶体管Q1集电极上的稳压二极管Z2也被击穿，并将旗子暗记送到主控IC。
3） 主控IC得到掌握旗子暗记后，掌握IGBT的通断间隙，降落电磁炉的输出功率，相应地减少了整机电流，达到了过电流保护的目的，如图所示。
7、电磁炉LC振荡电路
电磁炉的LC振荡电路是电磁炉的核心电路。其事情事理便是LC并联谐振的事理，通过电感线圈与振荡电容一直地进行充电和放电，产生振荡波形。个中，L为电感线圈，C为振荡电容。其事情事理如下：
1）当IGBT的C极电压为0V时，IGBT导通（监控电路检测到C极电压为0V时，即开启IGBT）,此时的电感线圈开始储存能量。
2）当IGBT由导通转向截止时，此时由于电感线圈的浸染，电流还会沿着先前的方向流动，由于IGBT关断，电感只能对电容C充电，从而引起C极上的电压不断升高，直到充电电流变小降至0时，C极电压达到了最高。
3）此时，电容C开始通过线圈放电，C极电压降落，当C极电压降到0V时，监 控电路动作，IGBT再次开启，如此反复循环，如图所示。
8、电磁炉高压保护电路
电磁炉高压保护电路的浸染是保护IGBT的C极电压不超过它的耐压值，防止IGBT过电压破坏。该电路紧张由电压比较器、外围电阻、外围电容构成。其 事情事理如下：
1）来自IGBT的C极电压经电阻R1限流，C2滤波，R4、R5分压后输入到电压比较器的正向输入端子（②脚）， 电压比较器①脚外接的R2、R3、C1为参考电压形成电路。
2）电路首先检测IGBT的C极电压，将该电压与其外接的一个参考电压进行比较。
3）当检测电压超过比较电压时，电压比较器就输出一个低电平旗子暗记到主控芯片， 使主控芯片输出的功率调节旗子暗记（即PWM）的幅度（即电平）减小，从而降落IGBT的功率，降落IGBT的C极电压，以保护IGBT。
9、电磁炉电压检测电路
电磁炉电压检测电路的浸染是检测输入的互换电压是否正常。该模块紧张由整流二极管、电阻、电容和晶体管构成。其详细事情事理如下：
1）互换市电经由整流二极管VD1、VD2全波整流、电阻R3降压之后送到晶体管Q1的基极。
2）由于晶体管Q1是釆用共射极输出的，以是当输入电压涌现高低变革时，发射极电压也会相应地随着发生变革。
3）电压检测模块将晶体管的发射极电压输入到主控芯片进行比较，当电压偏高或偏低时，主控芯片则会发出相应的掌握旗子暗记，掌握电磁炉的事情状态，同时通过显示电路显示相应的故障代码。电磁炉电压检测电路如下图所示。
10、电磁炉功率掌握电路
电磁炉功率掌握电路的浸染是掌握IGBT的开与关，以掌握电磁炉的发热功率。功率模块的内部电路紧张由电压比较器、外围电阻、外围电容、钳位二极管、稳压二极管和外围驱动晶体管等组成。其事情事理如下：
1）当电压比较器吸收到掌握旗子暗记时，掌握旗子暗记分别送到电压比较器的反相输入2、4端子的参考电压端子。
2）由于参考电压是不变的，以是当送来的波形处于高电平的时候，由于反相器的反相浸染，电压比较器输出低电平，驱动晶体管Q3导通，Q2截止，VCC （18V或 12V）电压经由导通的晶体管和限流电阻流向IGBT的栅极G,使IGBT导通。
3）反之，当送来的波形处于低电平的时候，由于反相器的反相浸染，电压比较器输出高电平，驱动晶体管Q3截止，Q2导通，VCC电压没有通过限流电阻流向IGBT的栅极G极，此时IGBTT作于截止状态。
4）如此反复，通过掌握IGBT的G极电压来达到功率掌握的目的。
11、电磁炉检锅电路
电磁炉检锅电路的浸染是用来检测电磁炉上是否有锅具，是通过检测振荡电路输出的脉冲个数和电流的大小来判断是否有锅的。该电路紧张由电压比较器IC1、外围电阻R1等组成。其事情事理如下：
1）电压比较器将振荡电路（C1和L1）的振荡波形通过分压电阻R1进行采样，从 ③脚输出脉冲旗子暗记。
2）再将脉冲旗子暗记送到主控芯片，主控芯片打算脉冲数，当脉冲数大于9个（不同的电磁炉参数不完备一样）时认为未放锅，当脉冲数小于5个时则认为放上了锅具，以此来判断电磁炉上是否放置了锅具。
3）有的电磁炉除检测脉冲个数外，还检测电流的大小，两者结合后综合进行判断，当检测到电流大于2A （不同的电磁炉参数不完备一样）时认为有锅，小于2A则认为无锅。综合判断，当脉冲个数大于9或电流小于2A时，则认为无锅。
12、电磁炉温度检测电路
电磁炉温度检测电路分为锅具温度检测和IGBT温度检测两种。锅具检测和IGBT温度检测电路都是由热敏电阻、电阻、电容和主控芯片组成。其详细事情事理如下：
1）热敏电阻RT通过陶瓷板对锅具底部的温度进行釆样，并将采样旗子暗记送到主控芯片。
2）主控芯片通过主控程序对该温度旗子暗记电压的设定值与检测到的电压进行比较，当电压非常时，则自动掌握IGBT停滞事情或延长停滞事情的间隙。IGBT温度检测电路的事情事理与锅检测电路的事情事理基本相同。
13、电磁炉风扇驱动电路
电磁炉风扇驱动电路是用来驱动风扇运转的，以降落电磁炉因元器件发热而产生的温度。风扇驱动紧张是由两个晶体管、电阻、钳位二极管等组成。其事情事理如下:
1) 主控芯片IC通过检测IGBT的温度后，若温度偏高，则会输出一个风扇驱动旗子暗记。
2) 驱动旗子暗记被加到Q1、Q2的基极，使两个晶体管全部导通时，驱动电流利过晶体管加到散热风扇上，散热风扇运转事情。
