天奥电子申请DFB激光芯片和高Q氮化硅外腔芯片的耦合方法专利改进了有源芯片与硅基微环芯片在耦合中存在的损耗大年夜与效率低的问题_透镜_激光器

专利择要显示，本发明供应了一种DFB激光芯片和高Q氮化硅外腔芯片的耦合方法，涉及激光技能领域，包括DFB激光器和设在DFB激光器一侧的镀膜透镜；镀膜透镜的镜面与DFB激光器的激光出射处相对设置，用于汇聚与准直激光，沿着DFB激光器的输出光轴顺次支配硅透镜和硅基微环谐振器，硅透镜的一侧与镀膜透镜相对，另一侧与硅基微环谐振器的入口波导相对，通过调节汇聚准直后的激光来将其聚焦到硅基微环谐振器的振腔的输入波导端口处；通过移动镀膜透镜和硅透镜的位置来调节焦距，进而实现最佳的耦合效率；本发明改进了有源芯片与硅基微环芯片在耦合中存在的损耗大与效率低的问题，在非常紧凑的芯片平台上同时实现了高输出功率和窄线宽的功能。

本文源自金融界