根据Buck电路的几个事情阶段，我们分别谈论MOSFET的损耗
第一个阶段：上管打开的过程：
在开关过程中产生的损耗，MOSFET处于放大区，下管关闭险些没有电流。
在上管打开过程中，上管的电压Vds不断减小，电流Ids不断增加。我们大略的可以认为是线性增减。此时输出电流处于谷底，最小值。如果近似的算作是电流均匀值即输出电流值，则可以大略打算如下：
如果须要考虑电流纹波，则打算公式如下：
第二个阶段：上管完备导通、下管关闭。
上管MOSFET处于打开状态，上MOSFET等效于一个电阻即为MOSFET的导通阻抗Rds（on），Rds（on）上面流经电流的损耗。此时，下管没有电流，功耗全部集中在上管上。
打开的韶光是由占空比决定的：上管打开的韶光约即是TD。
电流近似打算时，可以看作便是Buck电源的输出电流。如果细算起来，就须要考虑在上管打开过程中，电流是逐步变大的，我们须要对这个电流增大的过程进行积分打算，考虑到电流逐步变大的过程。
如果电流纹波足够小，我们可以近似认为上管打开过程电流没变革。则这个打算非常随意马虎，便是直接打算，就可以：
如果纹波带来的影响不可忽略，则我们须要进行积分运算。我们从开始开启的电流进行积分，即最小电流处，积分到最大电流处。此处利用牛顿-莱布尼兹公式，打算定积分。
第三个阶段，上管关闭的过程
上管打开的过程和关闭的过程是类似的打算方法，此处只是电流为全体周期的最大值，由于经历了一个充电的过程，电流此时处于峰值。其余便是上管关闭的韶光，会与上管打开的韶光不一样。我们打算公式如下：
第四个阶段，此时上管已经完备关闭，下管暂时还没有打开，称为去世区韶光
我们须要理解，任何掌握器都须要掌握避免高下管同时打开，如果涌现这个状态，则非常可能烧管，由于相称于通过高下管把输入电源和GND进行了短路。
为了避免这种状态，只好在上管关闭之后，等待一个韶光段，再对下管进行打开的操作。而在两个MOSFET都关闭的状态，我们就称为去世区韶光。这个韶光，紧张依赖下管的寄生二极管进行续流，实现输出电流的一个回路。
此时的功耗，便是下管的寄生二极管的功耗，也便是二极管的正引导通压降乘以此时的电流。在开关开关的过程中，会有两个阶段经历去世区韶光，以是下管的去世区韶光功耗打算公式如下：
第五阶段，下管导通
导通功耗，由于很显然下管的功耗是在电流利过MOS的DS沟道之间的电阻（rDS(ON)）产生的。下面公式可估算下MOS管的导通功耗。
下管的导通损耗，近似的可以看作是：
如果考虑纹波，可以用以下公式进行打算：
