一、封装用原材料差别:
二、封装制程差异:
1.固晶:正装小芯片采纳在直插式支架反射杯内点上绝缘导热胶来固定芯片,而倒装芯片多采取导热系数更高的银胶或共晶的工艺与支架基座相连,且本身支架基座常日为导热系数较高的铜材;
2.焊线:正装小芯片常日封装后驱动电流较小且发热量也相对较小,因此采取正负电极各自焊接一根φ0.8~φ0.9mil金线与支架正负极相连即可;而倒装功率芯片驱动电流一样平常在350mA以上,芯片尺寸较大,因此为了担保电流注入芯片过程中的均匀性及稳定性,常日在芯片正负级与支架正负极间各自焊接两根φ1.0~φ1.25mil的金线;
3.荧光粉选择:正装小芯片一样平常驱动电流在20mA旁边,而倒装功率芯片一样平常在350mA旁边,因此二者在利用过程中各自的发热量相差甚大,而现在市场通用的荧光粉紧张为YAG,YAG自身耐高温为127℃旁边,而芯片点亮后,结温(Tj)会远远高于此温度,因此在散热处理不好的情形下,荧光粉永劫光老化衰减严重,因此在倒装芯片封装过程中建议利用耐高温性能更好的硅酸盐荧光粉;
4.胶体的选择:正装小芯片发热量较小,因此传统的环氧树脂就可以知足封装的须要;而倒装功率芯片发热量较大,须要采取硅胶来进行封装;硅胶的选择过程中为了匹配蓝宝石衬底的折射率,建议选择折射率较高的硅胶(>1.51),防止折射率较低导致全反射临界角增大而使大部分的光在封装胶体内部被全反射而丢失掉;同时,硅胶弹性较大,与环氧树脂比较热应力比环氧树脂小很多,在利用过程中可以对芯片及金线起到良好的保护浸染,有利于提高全体产品的可靠性;
5.点胶:正装小芯片的封装常日采取传统的点满全体反射杯覆盖芯片的办法来封装,而倒装功率芯片封装过程中,由于多采取平头支架,因此为了担保全体荧光粉涂敷的均匀性提高出光率而建议采取保型封装(Conformal-Coating)的工艺;示意图如下:
6.灌胶成型:正装芯片常日采取在模粒中先灌满环氧树脂然后将支架插入高温固化的办法;而倒装功率芯片则须要采取从透镜个中一个进气孔中逐步注意灌输硅胶的办法来添补,添补的过程中应提高操作避免烘烤后涌现气泡和裂纹、分层等征象影响成品率;
7.散热设计:正装小芯片常日无额外的散热设计;而倒装功率芯片常日须要在支架下加散热基板,分外情形下在散热基板后添加风扇等办法来散热;在焊接支架到铝基板的过程中建议利用功率<30W的恒温电烙铁温度低于230℃,勾留韶光<3S来焊接;
8.封装后成品示意图: