华为公司申请包含垂直晶体管的芯片专利运用半导体沟道调节垂直晶体管的电学机能_沟道_半导体

专利择要显示，本申请履行例供应了一种包含垂直晶体管的芯片及其制备方法、终端，涉及半导体技能领域。
该芯片包括多个垂直晶体管，多个垂直晶体管的半导体沟道包括第一半导体沟道和第二半导体沟道，且第二半导体沟道设置于第一凹槽中。
并且，第一半导体沟道与垂直晶体管的第一极和第二极都直接打仗，第二半导体与第二极直接打仗。
本申请可以利用第一半导体沟道和第二半导体沟道调节垂直晶体管的电学性能。

本文源自金融界