富国银行金融剖析师乔·夸特罗奇（Joe Quatrochi）最近揭秘：目前一片3D QLC类型的闪存晶圆，总存储容量大约70TB。铠侠-西数的下一代BiCS5（112层堆叠）则比这个数字再提高40%旁边，即大约98TB。
提升闪存产量紧张有4种根本方法：一是增加堆叠层数（32层->64层->96层…）、二是增加每单元的位数量（SLC->MLC->TLC->QLC…）、三是缩小NAND芯片的单元尺寸、四是扩建更多工厂提升产能。第三种扩展方法最早进入瓶颈，为了达到合理的利用寿命，1z nm险些成了存储芯片的下限。
提高闪存堆叠层数是目前闪存制造商大力发展的方向。3D闪存利用沉积和蚀刻工艺制造，当代96层堆叠3D闪存的纵横比已经达到大约70：1，持续增加的纵横比会导致潜在毛病，如不屈均的层、蚀刻不完备（孔未达到底部）、波折扭曲以及顶部和底部的尺寸变革，这些会严重影响到闪存的良品率。3D闪存的纵横比早已超过天下最高建筑物的哈利法塔（大约9：1）：
3D闪存的高楼不好"盖"，一个办理方法是分段建造，然后再立体组合起来。2016年曾有人设想出由4个32层构造组合而来的128层3D闪存，不过String Stack比较直接蚀刻会带来大约30%的本钱增长。
现实中只涌现了2个32层堆叠达成的64层、2个48层堆叠达成的96层。出于本钱和产出的缘故原由，String Stack不会成为无限制利用的增容工具。
正是由于以上这些缘故原由，3D闪存堆叠层数的提升速率正在放缓。64层3D闪存在发布4个季度后占到了当时全部闪存容量产出的67%，而96层3D闪存在相同韶光内只达到了25%的占比，直到现在也没有打破50%。100层以上的技能迭代估量会花费更长的韶光。
虽然固态硬盘已经在小容量系统盘运用中替代了HDD，但总体上要达到与HDD同等的每GB容量本钱，还有很多困难。
