电子元器件怎么选——半导体集成电路选用八大年夜原则_集成电路_暗记

2：只管即便选用金属外壳集成电路，以利于散热。

3：选用的集成稳压器，其内部应有过热、过电流保护电路。

5：集成电路MOS器件的选用应把稳以下内容:

1）MOS器件的电流负载能力较低，并且容抗性负载会对器件事情速率造成较大影响。

2）对时序、组合逻辑电路，选用器件的最高频率应高于电路运用部位的2～ 3倍。

3）对输入接口，器件的抗滋扰要强。

4）对输出接口，器件的驱动能力要强。

6：运用CMOS集成电路时应把稳下列问题：

1）CMOS集成电路输入电压的摆幅应掌握在源极电源电压与漏极电源电压之间。

2）CMOS集成电路源极电源电压VSS为低电位，漏极电源电压VDD为高电位，不可颠倒。
3）输入旗子暗记源和CMOS集成电路不用同一组电源时，应先接通CMOS集成电路电源，后接通信号源;应先断开旗子暗记源，后断开CMOS集成电路电源。

4）CMOS集成电路输入（出）端如接有长线或大的积分或滤波电容时，应在其输入（出）端串联限流电阻（1～10kΩ），把其输入（出）电流限定到10mA以内。

5）当输入到CMOS集成电路的时钟旗子暗记因负载过重等缘故原由而造成边沿过缓时，不仅会引起数据缺点，而且会使其功耗增加，可靠性低落。
为此可在其输入 端加一个施密特触发器来改进时钟旗子暗记的边沿。

7：CMOS集成电路中所有不同的输入端不应闲置，按其事情功能一样平常应作如下处理:

1）与门和非门的多余端，应通过0.5～1MΩ的电阻接至VDD或高电平。

2）或门和或非门的多余端，应通过0.5～1MΩ的电阻接至VSS或低电平。

3）如果电路的事情速率不高，功耗也不要特殊考虑的话，可将多余端与同一芯片上相同功能的利用端并接。
应该指出，并策应用与单个利用比较，传输特性有些变革。

8：选用集成运算放大器和集成比较器时应把稳下列问题:

1） 无内部补偿的集成运算放大器在作负反馈运用时，应采纳补偿方法，防止产生自激振荡。

2） 集成比较器开环运用时，有时也会产生自激振荡。
采纳的紧张方法是履行电源去耦，减小布线电容、电感耦合。

3） 输出功率较大时，应加缓冲级。
输出端连线直通电路板外部时，应考虑在输出端加短路保护。

4） 输入端应加过电压保护，特殊当输入端连线直通电路板外部时，必须在输入端采纳过电压保护方法。

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