所有这些优点让设计职员能够减少功率变换器的总损耗（减少热量），提高能效。 因此，GaN 能更好地支持电子产品轻量化，举例来说，与目前随处常见的充电器比较，采取GaN 晶体管的PC机电源适配器更小、更轻。
泰高技能的首席产品运营官 Tino Pan 表示：“基于 GaN 的产品商用已经是功率半导体的下一个攻坚阶段，我们准备好开释这一激动民气的技能潜力。本日，泰高技能发布了合封氮化镓半桥功率芯片的新系列的首款产品，为消费、工业和汽车电源带来打破性的性能。
半桥电路是电力电子行业的主要根本，广泛运用在智好手机和条记本充电器，电视，太阳能电池板，数据中央和电动汽车等场景中。面对不断增长的市场，TagoreTech 泰高技能推出了一款集成驱动的合封氮化镓半桥功率芯片TTHB100NM，下面充电头网为大家先容一下这款新品的特点。
泰高技能 TTHB100NM 是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ 氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出旗子暗记的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。
泰高技能 TTHB100NM 组成的氮化镓半桥，改为一颗器件取代，大大减小适配器低级元件数量和面积。
泰高技能 TTHB100NM 具有12V~20V的宽电源事情范围，可运用在DC–DC转换、逆变器、手机/条记本充电器、LED/电机驱动、图腾柱无桥PFC 运用、高频LLC转换器、做事器/AC-DC电源、有源钳位反激等场景中。
泰高技能 TTHB100NM 芯片采取低电感8mm×10mm QFN封装，低电感封装的集成驱动器许可在高压和高频中安全运行。开关频率高达2MHz，传输延迟低至50ns，支持50V/ns dV/dT 抗扰度。
上图为泰高 TTHB100NM 功率芯片的引脚解释图，芯片采取外接电阻掌握转换速率以抑制电磁滋扰，可通过具有TTL和/或CMOS阈值的PWM旗子暗记（单端或差分）运行。
深圳市泰高技能有限公司紧张从事基于第三代半导体 硅（Si）基氮化镓 及 碳化硅（SiC）基氮化镓技能的集成电路研发和发卖，所研发的氮化镓芯片已经被超过 60 家欧美国际大公司及30家海内大公司的采取。
TagoreTech 泰高技能的研发团队源于德国公司英飞凌, 其芯片设计中央位于美国芝加哥（Chicago），其余在印度设有研发分部，环球研发职员有 50 位以上， 个中超过 80% 研发职员拥有博士学历。研发团队的背景紧张在射频氮化镓领域深耕超过 10 余年，具有卓越的芯片设计能力。
TagoreTech 泰高技能现有产品包括 RF 射频开关（GaN-On-Si 宽带技能） 、 射频高功率放大器（GaN-On-SiC DHEMT 技能）、电源功率芯片（GaN-On-Si EHEMT 技能）和 射频低噪声放大器（GaAs 技能） 四大系列，技能处于国际领先水平。
TagoreTech 泰高技能专注于AC-DC中高功率氮化镓产品设计，已和onsemi / NXP / JWT / Silergy / KIWI / Southchip / Ismartware等半导体品牌成为主要互助伙伴。为了中高功率的产品可靠性测试，2022年4月泰高技能与航天科创检测有限公司签署互助，建立联合实验室；将利用国家级设备为AC-DC中高功率氮化镓产品供应高可靠性验证机制。
“泰高, 让设计变大略”是我们空想，实现这个空想得益于我们通过风雅的布局，使得工程师更加便捷设计，为产品更高效、更小、更可靠的全新办理方案带来更多可能。
充电头网总结TagoreTech 泰高技能推出的集成驱动的合封氮化镓半桥功率芯片 TTHB100NM，专为半桥架构的开关电源设计。TTHB100NM 采取的 8x10mm QFN封装，比较两颗传统的88的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面历年夜大缩小。同时合封器件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高电源产品的效率和可靠性。泰高技能 TTHB100NM 芯片，将于 2022 年第三季度供应样品。
