应用材料打破逻辑芯片布线方法 可扩展到3纳米节点上_资料_计划

运用材料公司已经开拓出了一种全新的材料工程办理方案--Endura Copper Barrier Seed IMS。
它是一种集成材料办理方案，在高度真空环境下将 ALD, PVD, CVD, copper reflow, Surfacetreatment, interface engineering 和 metrology 这 7 种不同的工艺技能整合在 1 个别系中。

在该系统中利用了 selective ALD 替代了 conformal，肃清了通孔接口处的高电阻率障碍。
该办理方案还包括铜回流技能，在狭窄的特色中实现无空隙添补。
通孔打仗界面的电阻降落了 50%，提高了芯片的性能和功耗，并使逻辑扩展连续到 3 纳米及以上。

运用材料公司高等副总裁兼半导体产品部总经理 Prabu Raja 说：“一个智好手机芯片有数百亿个铜互连，布线已经花费了芯片三分之一的功率。
在真空中整合多种工艺技能使我们能够重新设计材料和构造，从而使消费者能够拥有能力更强的设备和更长的电池寿命。
这种独特的集成办理方案旨在加速我们客户的性能、功率和面积本钱路线图”。