华为公司申请存储芯片专利提升了存储单元进行读操作的速度_单位_芯片

专利择要显示，本申请履行例公开了一种存储芯片、存储设备和电子设备，降落了工艺难度和本钱的同时，扩大存储芯片的存储窗口大小，提升了存储单元进行读操作的速率。
本申请履行例供应的存储芯片包括多个存储单元，个中的每个存储单元包括至少一层自选通存储层，且每层自选通存储层位于第一缓冲层与第二缓冲层之间并与第一缓冲层与第二缓冲层打仗，自选通存储层具有选通特性和存储特性。
个中，构成第一缓冲层与第二缓冲层的材料的化合物不同。
当每个存储单元的两端的电压差值大于或即是阈值时，则自选通存储层导通，以存储数据至自选通存储层或者从自选通存储层读取已存储的数据。

本文源自金融界