高通旗舰芯片发烧都是Arm的错？_半导体_积电

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高通和三星为 2022 年大量最佳 Android 旗舰供应动力的新型高端芯片因过热问题而受到批评。
一些宣布表明三星的 4nm 制造工艺该当受到责怪，但现在有人认为其他缘故原由可能是罪魁罪魁。

据韩媒businesskorea宣布，“目前，高通的骁龙和三星电子的Exynos运用场置器在大部分安卓旗舰手机中利用，这些手机在发热、性能和功耗方面都存在问题，”一位业内人士表示。
他金银补充道，“运用场置器是ARM设计的，无论在三星电子还是台积电生产都证明了同样的问题，可以说这个问题不是厂商带来的而是设计者。
”

同时，也有专家指出，这些问题是制造工艺、运用场置器设计、外围元件和智好手机性能本身等多种成分综合浸染的结果。
“iPhone 运用场置器也是由 ARM 设计的，但这款手机在发热和性能方面从未涌现干涉干与题，”个中一位业内人士说说。

Snapdragon 8 Gen 1 和 Exynos 2200 均基于三星的 4nm 工艺，架构基本相同，具有一个用于性能的 Arm Cortex X2 内核、三个“大”Cortex-A710 内核和四个用于高性能的 Cortex-A510“小”内核- 效率事情负载。
与他们正在更换的微架构比较，X2 内核快 16%，A710 快 10%，A510 快 35%。

功率带来热量，以是他们认为ARM 的新设计是新款 Snapdragon 和 Exynos 芯片升温如此之快的缘故原由。
这彷佛可以阐明为什么高通的下一代高端芯片 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 将配备降频的 Cortex X2 内核。

但这并不代表三星没有错，由于如上所述，这是多方问题的结果。

为此高通估量将在 Snapdragon 8 Gen 1 Plus 上放弃三星而选择台积电，而联发科基于台积电 4nm 工艺的天玑 9000 听说比其他 Android 芯片更快、更省电，因此三星的工艺肯定会有所改进.

台媒宣布，因三星 4 纳米制程良率出包，大客户高通 (QCOM-US) 已找上台积电 (2330-TW) 代工生产新一代、加强版的旗舰手机芯片骁龙 (Snapdragon)8 Gen 1 Plus，且正与台积电协商，希望能尽快交货，将有 2 万片可提前至 4 月出货，以取代现有的骁龙 8 Gen 1。

由于台积电 4 纳米制程已被苹果包光，高通先前只能采取三星 4 纳米制程投片骁龙 8 Gen 1，去年 12 月初推出新一代旗舰手机芯片骁龙 8 Gen 1，但今年初就传出因三星 4 纳米制程良率问题，高通决定重回台积电怀抱，加强版骁龙 8 Gen 1 Plus 将改采台积电 4 纳米制程投片，估量最快下半年放量出货。

不过，据外媒报导，由于骁龙 8 Gen 1 制程良率出包、量产不顺，且无法办理过热问题，高通正与台积电协商，盼台积电生产完其他客户芯片后，能以 4 纳米制程生产骁龙 8 Gen 1 Plus，并尽早交货。

外媒指出，台积电所生产的骁龙 8 Gen 1 Plus，将有 2 万片可提前至 4 月出货，第三季开始每季产量达 5 万片，且良率超过 7 成，远优于三星的 4 纳米制程。

有台积电大力合作，高通骁龙 8 Gen 1 Plus 旗舰芯片出货速率将加快，效能与能耗表现也可望同步提升；而在高通重回台积电 4 纳米怀抱下，先前因台积电 4 纳米产能有限，而转单至三星 4 纳米投片 Chromebook CPU 的超微，是否会跟进脚步，也将备受市场关注。

高通Snapdragon 8 Gen 1 为包括三星在内的浩瀚手机巨子的产品供应动力，但看起来这种现成方法的有效性已达到极限。
据宣布，为理解决这个问题，三星现在将更多地专注于为其手机构建定制芯片。

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