采取英飞凌SiGe:C HBT技能的77 GHz雷达吸收器和发射器
博世（Bosch）中程雷达传感器MRR1Plus有三个发射器和四个吸收器通道，事情在76-77GHz频段，知足标准的汽车雷达系统运用。上一代产品的事情张角（aperture angle）可达±45度，能探测远达160米的物体。凭借小型化设计（采取英飞凌的扇出型晶圆级封装RF器件），该雷达系统很随意马虎被集成到汽车中。
博世77GHz雷达MRR1Plus集成了英飞凌（Infineon）的RF吸收器和发射器：RRN7745P和RTN7735P。这些器件采取英飞凌的最新SiGe:C HBT技能，以及eWLB / 扇出型晶圆级封装。该封装由英飞凌开拓并生产制造，没有利用引线键合，进而减少电感，此外还通过分外的设计来提升热管理效能。
上述eWLB封装是足够可靠稳定，仅须要一块塑料盖保护，无需任何添补，并可集成在汽车模组中。在芯片上只增加了分外的金垫构造。该RF晶体管是英飞凌新一代SiGe:C HBT芯片，电路采取前辈的绝缘构造和铜金属层。
本报告详细剖析了RRN7745P和RTN7735P封装技能，包括工艺、设备、材料等细节。同时，报告对SiGe:C HBT也进行了细致阐发。末了，报告对RRN7745P和RTN7735P本钱和价格进行预估。
英飞凌77 GHz雷达芯片RRN7745P
英飞凌77 GHz雷达芯片RRN7745P横截面图
SiGe:C HBT晶体管
报告目录：
Overview / Introduction
Company Profile
Physical Analysis
• Bosch MRR1Plus Radar
• Fan-Out Wafer Level Package
- RRN7745P Package
- RTN7735P Package
- Die Bond
- eWLB Cross-Section
- Redistribution Layer
- Comparison eWLB
• RRN7745P Die
- View, Dimensions & Marking
- Area Overview
- Contact
- Details
• RTN7735P Die
• Die Cross-Section
- Bipolar Cross-Section
- SiGe:C HBT Cross-Section
- Metal layer Cross-Section
Manufacturing Process Flow
• Global Overview
• SiGe die Process Flows
• SiGe die Wafer Fabrication Unit
• eWLB Process Flows
• eWLB Wafer Fabrication Unit
Cost Analysis
• Main steps of economic analysis
• Yields Hypotheses
• SiGe Wafer Front-End Cost
• SiGe die Front-End Cost
• eWLB Wafer Front-End Cost
• Component Cost
Price estimation
• Manufacturer Financial Ratios
• RRN7745P Estimated Selling Price
若须要《英飞凌77 GHz雷达吸收器和发射器：RRN7745P和RTN7735P》样刊，请发E-mail：wangyi# memsconsulting.com（#换成@）。
延伸阅读：
《博世中程雷达（MRR）传感器》
《英飞凌76 GHz雷达吸收器和发射器：RRN7740和RTN7750》
