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激动人心国产高速充电芯片打破并量产手机进入光速秒充时代_芯片_真我

少女玫瑰心 2025-01-21 10:25:48 0

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众所周知,我国是智好手机生产大国,对不同功能芯片的需求量是非常大的,由于我国半导体技能起步得比较晚,也导致了一些制程不是很高的芯片依然要受制于人,就比如电源管理芯片在我国需求量就非常大,只要涉及到有电能存储的智能设备,都会用到此类芯片,我国早期智好手机上的电源管理芯片都是依赖于入口的,但是随着某些国家贸易保护举头,我国随之也掀起了一股半导体自主研发热潮,以减少核心芯片受制于人的局势。

个中最为刺目耀眼的要数上海南芯半导体科技,早在2016年就成功研发了业界上第一颗支持Type-C Power Delivery协议的升降压充放电芯片SC8801,一度办理了提升移动电源输出效率难题,并成功量产,几年韶光南芯多个型号的电源管理芯片成功进入到智能设备供应链,比如华为、OPPO、三星、海翼和欣旺达等有名厂商。

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2021年,南芯又推了脱手机界功率最大和效率最高的单芯片120W超高压电荷泵充电芯片SC8571,这也是目前在智好手机上唯一单芯片可以支持到120W的充电芯片,根据南芯供应的资料显示,如果采取2颗SC8571并联方案功率最高可以达到160W,如果采取3颗SC8571并联,则可以实现最高200W的充电功率。

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(图片来自网络侵删)

根据南芯最新,国产手机“真我 GT Neo 3” 就搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片,这也是天下上首款充电速率最快的智好手机。

那么,这款搭载有南芯超高压电荷泵快充芯片的GT Neo 3,充电效率表现到底如何呢?

根据realme官网显示,真我 GT Neo3充电部分是基于UDCA架构,拥有双电荷泵芯片并联技能,充电转化率高达98%,充电5分钟就可以达到50%的电量,13~15分钟即可满电,极大的缩短了充电等待韶光,有效的办理了用户续航焦虑。

除此之外,真我 GT Neo3还配有独立的充电掌握芯片,支持电压检测和非常一键断电、电池寿命保护等38道安全防护。

说到真我 GT Neo 3,

“真我”,成立于2018年,产品定位是为年轻人打造极具性价比的潮牌手机,品牌理念是“敢于超越”,是一个隧道的国产品牌。

由于出道韶光短,以是这个品牌很多人还比较陌生,特殊是英文名“realme”更是让英文水平不好的大叔大妈们还以为是一个外来品牌,但你只要知道OPPO这个品牌,我想大家会急速熟习起来,没错,它便是OPPO旗下的一个独立营运品牌。

出道即为黑马,在去年的“618”大匆匆节上,真我一举反超销量大王小米,成功登顶销量第一名,2021年整年度,realme环球手机销量打破6000万部,在今年,真我 GT Neo 3开售不到10小时销量就打破了10万部。

难道这款手机仅仅由于充电快才卖的这么抢手吗?

当然不是!

二、独立显示芯片加持

喜好用电脑玩游戏的用户,一定有这样的体会,独显与集显的游戏体验完备就不在一个量级上,手机同样也是如此,有独立显示芯片与没有独立显示芯片的手机,除了小游戏没什么差异外,在大型游戏体验上完备便是两个观点。

根据官方资料显示,真我GT Neo3,搭载的独立显示芯片,具有AI智能插帧特性,可以在系统底层对传统的图形处理器进行重构,实现软硬件协同,使得整机图形处理速率明显提升,游戏在高帧率的情形下也可完美运行。

三、出色的温控系统,

由此可见,真我GT Neo3在控温这一块,也做的非常出色,根据官方资料显示,真我GT Neo3采取了金刚石冰芯散热系统,其3D钢化VC液冷面积高达4129mm,独立的9层散热构造,百分百覆盖所有热源,散热总面积高达39606mm,不得不说真我GT Neo3在温控这一块做的确实很隧道。

四、高规格的影像系统

真我 GT Neo3搭载了定制的SONY IMX766 5000万OIS+EIS双防抖全像素全向对焦技能的超清主摄,以及119°超广角镜头和4mm微距镜头,合营真我自研的qroLight超感光技能,即便是可见光不好的情形下依然能够拍摄出超质感的图像来。

五、高性价比

真我GT Neo3从根本版到光速秒充版区间价位在1.999K~2.899K之间,试想一下12G+256G+150w光速秒充不到2.9k,这机子搁谁那儿,心都痒痒的。
#realme真我GT Neo3#

当然,从另一方面来看,国产自主半导体的崛起,不但减少了本土科技企业的生产本钱,也让消费者得到了更大的实惠。

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