1.VDD供电脚:
TB3815 的启动电流低至1uA,可有效地减少系统启动电路的损耗,减小待机功耗。启动
阈值电压13.6V 关断阈值电压7.6V,OVP电压为30V。建议在调试打算中VCC赞助绕组电压一样平常设置在20V内, VCC电解推举为10uF。

2.CS原边电流采样端:
CS端是原边电流采样端,峰值电流预检测阈值是580Mv。当MOS管打开时,过冲电流会产
生在采样电阻上。为了避免开关误操作,芯片内置了一个前沿消隐LEB韶光,人为产生一
个 500ns 的空缺期,使得MOS管不会被误操作而关闭。CS脚的峰值电流检测阈值为580mV。
这个脚不须要外接电容。
3GND:
芯片的电源接地脚,画PCB时把稳与功率地分开布线。
4.DRAIN 脚:
TB3815内部集成一个600V/2A的高压功率 MOSFET,该脚为内部高压功率 MOSFET的漏极,
接变压器低级。
5.FB脚:
反馈输入引脚
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