手机处理器的nm制造工艺到底是什么？_光刻_晶体管

那么制造工艺到底是什么呢？芯片的制造工艺常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm来表示。
现在的CPU内集成了以亿为单位的晶体管，这种晶体管由源极、漏极和位于他们之间的栅极所组成，电流从源极流入漏极，栅极则起到掌握电流利断的浸染。

而所谓的多少nm实在指的是，CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。

栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经流传宣传将栅长从130nm减小到90nm时，晶体管所占得面积将减小一半；在芯片晶体管集成度相称的情形下，利用更前辈的制造工艺，芯片的面积和功耗就越小，本钱也越低。

栅长可以分为光刻栅长和实际栅长，光刻栅长则是由光刻技能所决定的。
由于在光刻中光存在衍射征象以及芯片制造中还要经历离子注入、蚀刻、等离子冲洗、热处理等步骤，因此会导致光刻栅长和实际栅长不一致的情形。

其余，同样的制程工艺下，实际栅长也会不一样，比如虽然台积电跟三星也推出了10nm制程工艺的芯片，但其芯片的实际栅长和Intel的10nm制程芯片的实际栅长依然有一定差距。
并且差距还是不小的

归根结底，未来会涌现几纳米的制造工艺尚不愿定，但是科技在发展，人类在进步是有目共睹的。