摩根士丹利最新报告指出，PC与智好手机制造商正积极建立存储芯片库存，明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨。
根据其援引的TrendForce预期数据，明年Q1，DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期（DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%），最新的估量增幅翻倍不止，上调了10-13个百分点。
下贱客户行为已发生转变：到2024年，来自中国智好手机OEM厂的订单量将大幅增加。大摩指出，智好手机OEM厂商已开始补货，目前库存仅规复到正常水平（移动DRAM为4-6周、NAND为6-7周）。与此同时，PC ODM/OEM厂商也在动手建立库存。
而存储厂商大幅减产之后，产量仍远远低于需求，因此需求上涨带动存储价格上涨。
供需差距下，已有部分存储产品涌现缺货。上游存储原厂减产后，整体供货资源顺序涌现动态调度，优先供货自家品牌产品，对外NAND发卖比例低落。供应链称，目前已有部分产品缺货，客户敲定第一波预订单后，想再增加拉货却已买不到。
不仅如此，家当链厂商们对涨价趋势均是颇为乐不雅观。
上全面球第四大NAND Flash供应商西部数据对客户发出涨价关照信。在信中，西部数据表示，公司会每周审查硬盘产品定价，估量明年上半年价格将上涨；NAND芯片部分，公司预期未来几季价格将呈现周期性上涨，在当前报价的根本上，累计涨幅或达55%。
存储厂商威刚日前也表示，看好明年内存价格将持续正向发展，“内存多头市场才正要开始”。现阶段上游的减产操持坚持，涨价态度强势，不但Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期，明年Q1也预期有相称的涨价空间。
值得一提的是，韩国金融投资业界日前同等上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4古迹预期。个中，SK海力士有望结束连续4个季度的业务赤字，今年Q4将实现1000亿韩元旁边的盈利；三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。
中信证券12月6日报告指出，家当链公司Q3古迹均有所修复，主流、利基存储价格齐涨，持续关注原厂库存去化进程和下贱需求复苏节奏对存储价格的影响。行业周期角度，外洋大厂稼动掌握下存储供需逐渐改进，主流存储价格Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升，看好家当链细分龙头Q4随库存去化、需求逐步回归迎来古迹底部复苏，看好海内存储家当链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注：1）存储模组；2）受益DDR5升级渗透的存储配套芯片；3）存储芯片设计。
