原子能院成功研制国内首款MGy级抗辐射三线译码器芯片_剂量_芯片

抗辐射三线译码器芯片可知足地面核举动步伐强辐射场景对自动掌握、传感器、智能装备和信息化系统的耐辐射需求。
研制期间，项目团队选用180nm CMOS(互补金属氧化物半导体)商业标准工艺，通过晶体管级抗辐射加固研究，打破了MGy级抗总剂量辐射的数字芯片加固技能。
针对显示掌握、内存解码、电气自动化等运用需求，完成了三线译码桥接芯片设计、版图加固、流片、封装和测试的全流程技能开拓，总剂量辐照测试表明其抗总剂量辐射性能达到1.17MGy。
芯片在耐辐照性能测试环节采取了更科学可靠的在线测试方法，不仅在测试中始终处于事情状态，在经受1.17 MGy的在线总剂量辐照后，仍可以正常事情。

抗辐射三线译码器芯片

该项目从属原子能院长期根本研究专项。
面对抗辐射加固需求，项目团队未来将努力开拓更多MGy级抗辐射总剂量的数字和仿照芯片，为“聪慧核工业”的进一步实现贡献力量。