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【避坑指南】低温下MOS导通不完全导致IMXRT1061启动失落败_电压_低温

雨夜梧桐 2025-01-17 00:55:05 0

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装置在常温和高温下均正常事情,以是也就没在意这电路,但在做低温试验的时候创造装置低温无法启动,但低温运行是没有问题的。

在低温无法启动时分别丈量VDD_3V3和NXP_VCC_3V3的电压,创造VDD_3V3的电压是正常的3.38V旁边,而NXP_VCC_3V3的电压只有不到2.6V,这也就意味着MOS管QA3吃掉了3.38-2.6=0.78V。
丈量PMIC_EN的电压,创造只有1.5V旁边。

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查看QA4(实际用的是NCE3404)的数据手册,VGS(th)的最小值为1.2V,范例值为1.6V,最大值为2.4V,如图2所示。

比拟图2的数据手册和低温下实测的数据可以创造,低温下QA4的GS之间的电压虽然大于NCE3404的最小值1.2V,但比其范例值和最大值都要小,这就基本可以确定该问题的根本缘故原由是低温情形下QA4的GS开启电压比较于常温和高温情形下变大了,1.5V已经无法使得QA4完备导通,进而使得QA3的G极电位无法下拉到靠近地电位,进一步导致了QA3无法完备导通,终极导致QA3自己吃掉了0.78V的电压,造成了其后真个NXP_VCC_3V3只有2.6V不到的电压。

接着在装置无法启动的情形下考试测验将PMIC_EN短接到VDD_3V3上,装置顺利完备低温启动,运行也正常。

NXP_VCC_3V3只有2.6V的缘故原由找到了,但其余一个问题的缘故原由还没找到:为什么3.3V供电的CPU,其IO口PMIC_EN输出了个1.5V的电平?后面仔细查看手册后创造该IO口实际上并不是推挽输出,而是上拉输出,内部上拉电阻为100K,与外部的电阻100K电阻RA16形身分压,分压后PMIC_EN的电压大概便是3.3/2=1.65V旁边。

根据上面的剖析,那么办理方法就有如下两个方向:

① 将外部下拉电阻RA16换成更大的电阻,比如1M,那么PMIC_EN的电压便是3.31/(1+0.1) = 3V > 2.6V,能够确保两个MOS管在任何情形下都能完备开通。

② 将NMOS管QA4换成NPN三极管,由于三极管的开启电压只有0.7V < 1.5V。

笔者实测了方案②,测试结果显示方案②是能够办理该问题的。

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