扬杰科技取得VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构专利有效减小芯片温升及其对器件封装结构和器件机能的影响_金属_凸点

专利择要显示，一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿构造。
涉及电子封装技能领域，尤其涉及VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿构造。
供应了一种构造大略，有效减小芯片温升及其对器件封装构造和器件性能的影响，提高器件质量可靠性的VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿构造。
包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；所述芯片焊接区的中央和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中央凸点，所述金属中央凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。
所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。
本发明设计独特、构造大略、制作方便。

本文源自金融界