磁珠的紧张质料为铁氧体。铁氧体是一种立方晶格构造的亚铁磁性材料，铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，它的制造工艺和机器性能与陶瓷相似，颜色为灰玄色。
二、磁珠根本知识磁珠（Ferritebead）有很高的电阻率和磁导率，其等效电路是一个DCR电阻串联一个电感并联一个电容和一个电阻。DCR是一个恒定值，但后面三个元件都是频率的函数，也便是说它们的感抗，容抗和阻抗会随着频率的变革而变革，当然它们阻值，感值和容值都非常小。磁珠比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，以是能在相称宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。磁珠的电路符号便是电感，但是型号上可以看出利用的是磁珠。在电路功能上，磁珠和电感是事理相同的，只是频率特性不同而已。
从等效电路中可以看到，当频率低于fL（LC谐振频率）时，磁珠呈现电感特性；当频率即是fL时，磁珠是一个纯电阻，此时磁珠的阻抗（impedance）最大；当频率高于谐振频率点fL时，磁珠则呈现电容特性。EMI选用磁珠的原则便是磁珠的阻抗在EMI噪声频率处最大。比如如果EMI噪声的最大值在200MHz，那你选择的时候就要看磁珠的特性曲线，其阻抗的最大值该当在200MHz旁边。
下图是一个磁珠的实际的特性曲线图。大家可以看到这个磁珠的峰值点涌如今1GHz旁边，在峰点时，阻抗（Z）曲线的值与电阻（R）的相等。也便是说这个磁珠在1GHz时，是个纯电阻，而且阻抗值最大。
Z:impedanceR:R(f)X1:L\\C前面大略先容了EMI磁珠的基本特性曲线。从磁珠的阻抗曲线来看，实在它的特性便是可以用来做高频旗子暗记滤波器。须要把稳的是，常日大家看到的厂家供应的磁珠阻抗曲线，都是在无偏置电流情形下测试得到的曲线。但大部分磁珠常日被放在电源线线上用来滤除电源的EMI噪声。在有偏置电流的情形下，磁珠的特性会发生一些变革。
下面是某个0805尺寸500mA的磁珠在不同的偏置电流下的阻抗曲线。大家可以看到，随着电流的增加，磁珠的峰值阻抗会变小，同时阻抗峰值点的频率也会变高。
在进一步阐述磁珠的特性之前，让我们先来看一下磁珠的紧张特性指标的定义：Z(阻抗，impedanceohm):磁珠等下电路中所有元件的阻抗之和,它是频率的函数。常日大家都用磁珠在100MHz时的阻抗值作为磁珠阻抗值。DCR(ohm):磁珠导体的的直流电阻。额定电流：当磁珠安装于印刷线路板并加入恒定电流，自身温升由室温上升40C时的电流值。那么EMI磁珠的磁珠有成千上万种，阻抗曲线也各不相同，我们该当如何根据我们的实际运用选择得当的磁珠呢？让我们首先来看一下阻抗值同为600ohm@100MHz，但尺寸大小不同的磁珠在不同偏置电流电流和事情频率下的特性。
上面是四个不同大小的磁珠分别事情在0A，100mA偏置电流及在100MHz，500MHz和1GHz事情频率下的阻抗值。
从上表的测试数据中可以看出，1206尺寸的磁珠在低频100MHz事情时，其阻抗值仅从0A下的600ohm减小到100mA偏置电流下的550ohm,而0402尺寸的磁珠阻抗值却从0A下的600ohm大幅减小为175ohm。
由此看来，在低比年夜偏置电流运用的情形下，该当选择大尺寸的磁珠，其阻抗特性会更好一些。让我们来看一下磁珠在高频事情时的环境。1206尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗从100MHz下的600ohm大幅减小为105ohm,而0402尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗则只由100MHz下的600ohm小幅减小为399ohm。
这也便是说，在低比年夜偏置电流的情形下，我们该当选择较大尺寸的磁珠，而在高频运用中，我们该当只管即便选择小尺寸的磁珠。
三、运用于旗子暗记线上的磁珠让我们再来看一下下面两个不同曲线特色的磁珠A和磁珠B运用于旗子暗记线时的情形。
磁珠A和磁珠B的阻抗峰值都在100MHz和200MHz之间，但磁珠A阻抗频率曲线比较平坦，磁珠B则比较陡峭。我们将两个磁珠分别放在如下的20MHz的旗子暗记线上，看看对旗子暗记输出会产生什么样的影响。
下面是用示波器分别量测磁珠输出真个波形图
从输出波形来看，磁珠B的输出波形失落真要明显小于磁珠A。缘故原由是磁珠B的阻抗频率波形比较陡峭，其阻抗在200MHz时较高，只对200MHz附近的旗子暗记的衰减较大，但对频谱很宽的方波波形影响较小。而磁珠A的阻抗频率特性比较平坦，其对旗子暗记的衰减频谱也比较宽，因此对方波的波形影响也较大。
下面是上述三种情形对应的EMI测试结果。结果是磁珠A和磁珠B都会对EMI噪声产生很大的衰减。磁珠A在全体EMI频谱范围内的衰减要稍好于磁珠B。
因此，在详细选用磁珠时，阻抗频率特性平坦型的磁珠A比较适宜运用于电源线，而频率特性比较陡峭的磁珠B则较适宜运用于旗子暗记线。磁珠B在运用于旗子暗记线时，可以在只管即便保持旗子暗记完全性的情形下，尽可能只对EMI频率附近的噪声产生最大的衰减。
四、磁珠与电容回路在一些器件的数据手册或者运用文档中，一样平常会建议对一些哀求较高的电源管脚（比如VCCA，VCCPLL之类的）做隔离处理，并推举利用磁珠进行隔离。
一样平常建议将电容放在更加靠近器件电源管脚的地方（相对付磁珠的位置），如下图所示。至于电容的容值，和该电源管脚的功率（电压&电流），电容间隔管脚的位置，电容的封装大小等成分有关系。
对付电容的Layout也有一些讲究，安装电容时，要从焊盘拉出一下段引线通过过孔和电源平面连接，接地段也一样。则电容的电流回路是：电源平面→过孔→引出线→焊盘→电容→焊盘→引出线→过孔→低平面。如下图所示：
放置过孔的基本原则便是让这一环路面积最小，减小寄生电感。下图显示几种安装方法：
※第一种方法从焊盘引出很长的线然后连接到过孔，这会引入很大的寄生电感，一定要避免这样做。
※第二种方法在焊盘二端打过孔，比第一种方法路面积小的多，寄生电感也较小，可以接管。
※第三种方法在焊盘侧面打孔，进一步减小了环路面积，寄生电感比第一个更小，是比较好的方法。
※第四种方法焊盘二侧面打孔，和第三种方法比较，电容的每端都是通过并联的过孔接入电源和地平面，比第三种的寄生电感还小，只要空间许可，只管即便利用。
※末了一种方法在焊盘上直接打孔，寄生电感最小，但是焊接可能会涌现问题。
五、\"大众滥用\公众磁珠的危害范例的8层以上单板，或者6层板采取3个电源地平面，电源地相对紧耦合的设计，这时候板上的滤波电容呈现\"大众全局特性\"大众，也便是说电容的位置不是很\公众主要\公众，电容在全局起浸染。双面板四层板，以及6层板电源地间隔比较远，相对松耦合的时候，板上的滤波电容方向于\"大众局部特性\"大众，电容的位置比较主要，最好能靠近芯片管脚放置。
当电源供电网络不该用电源地平面来设计的时候，电容更方向于\"大众局部特性\"大众。如PLL电源的电容，如DDR3设计中Vref电源的电容，都希望严格把相应的电容靠近芯片的管脚，乃至最好能做到设计时指定电源必须从滤波电容进入芯片管脚。
同样的，对付常规数字电源，如3.3V，2.5V等IO电源，如果我们对每一个芯片都利用磁珠隔离之后单独供电，那么电容就失落去了\"大众全局\"大众浸染。最直接的一个负面浸染便是导致设计须要增加更多的滤波电容。或者某个芯片的电容数量与种类不足，导致电源轨道噪声变大。
就算是电容的数量不是问题，电源噪声可控，\"大众滥用\"大众磁珠还会造成其他设计问题。电源种类多是设计的现状，\"大众滥用\"大众磁珠会\"大众雪上加霜\公众的让电源种类更多。加大电源地平面设计的难度。而增加的磁珠，实在并没有给电源噪声带来好处。
六、总结常规的数字电源，在采取多层板设计，电源地平面紧耦合的情形下，不建议\"大众滥用\"大众磁珠，保持电容的\"大众全局\公众特性起浸染。
须要利用磁珠的场合大致分为两种
1、\"大众特殊\"大众保护自己，如PLL电源，FPGA中的SerDes仿照电源等
2、\"大众关爱\公众他人，自身的滋扰性比较强，避免EMI问题，如强驱动的时钟芯片等
