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业界公认的芯片工艺最前辈企业，台积电，很早的时候，就宣告实现3nm制程芯片工艺，苹果公司的A17pro手机芯片（3nm）便是台积电代加工的。
那么3nm制程芯片工艺中的“3nm”究竟代表了芯片的什么？
很早之前，在＞130nm发展期间，有多少的栅极线宽，就叫多少nm的芯片工艺。这个时候，栅极线宽也即是金属半节距。
（图片来自网络侵删）
在130nm-28nm发展期间，各大晶圆厂（FABS即半导系统编制造厂）紧张通过缩短栅极线宽，显示自家工艺。比如说原来100nm的芯片工艺，栅极线宽最短可到70nm。
在＜28nm发展期间，栅极线宽的缩短变得十分困难，各大晶圆厂就开始按照自己的产品取名了。比如台积电、三星、intel的10nm对应的指标、晶体管密度都是不一样的，这个时候的纳米数实际代表了各家构造优化后的等效密度。
ASML公司在公布EUV光刻机路线图提到的各大晶圆厂的芯片工艺数据，相称于去掉了各家花里胡哨的宣扬标准，采纳了最原始的金属半节距衡量指标。由此可以看出：
7nm制程芯片工艺对应的是27nm，
3nm制程芯片工艺对应的是22-23nm（台积电，目前已知能够量产的制程工艺），
2nm制程芯片工艺对应的是22nm（ASML估量2025年实现），
1.4nm制程芯片工艺对应的是21nm，
1nm制程芯片工艺对应的是18nm，
0.7nm制程芯片工艺对应的是18-16nm，
0.2nm制程芯片工艺对应的是16-12nm（ASML估量2030年实现，且靠近硅材质的极限，单个硅原子间距0.1nm）。
这也是为什么EUV光刻机，采取的是13.5nm光芒，能够刻录2nm、1nm制程芯片工艺的缘故原由，由于其对应的金属半间距比光芒波终年夜。
为什么芯片行业水分掺这么多水分？答：垄断者爱怎么宣扬怎么宣扬。
