中科院网站6月10日，近日，中国科学院上海光学精密机器研究所信息光学与光电技能实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学临近效应改动技能（Optical proximity correction, OPC），仿真结果表明该技能具有较高的改动效率。
光刻是极大规模集成电路制造的关键技能之一，光刻分辨率决定集成电路的特色尺寸。随着集成电路图形的特色尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学临近效应，降落了光刻成像质量。在光刻机软硬件不变的情形下，采取数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技能即打算光刻技能（Computational Lithography）。该技能被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律连续发展的新动力。
OPC技能通过调度掩模图形的透过率分布改动光学临近效应，从而提高成像质量。基于模型的OPC技能是实现90nm及以下技能节点集成电路制造的关键打算光刻技能之一。上海光机所科研职员提出的这种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学临近效应改动技能，能够将不同类型的成像失落真归结为两种类型的成像非常，即内缩非常与外扩非常。利用不同的成像非常检测模板，依次在掩模图形的边缘和拐角等轮廓偏移判断位置进行局部成像非常检测，确定非常类型及非常区域的范围。根据非常检测位置与非常区域范围，自适应产生虚拟边。通过移动虚拟边调度掩模的局部透过率分布，从而改动局部成像非常。借助改动策略和改动约束，实现高效的局部改动和全局轮廓保真度掌握。其余，双采样率像素化掩模充分利用了成像系统的衍射受限属性，在粗采样网格上进行成像打算与非常检测，在精采样网格上进行掩模改动，兼顾了成像打算效率与掩模改动分辨率。利用多种掩模图形进行验证，仿真结果表明该OPC技能的改动效率优于常用的基于启示式算法的OPC技能。
干系研究成果揭橥在Optics Express上。研究事情得到国家重大科技专项和上海市自然科学基金项目的支持。
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