可以说，芯片已经是我们生活中不可或缺的电子元器件了。但是你能想想这么一款精密器件，它居然是由沙子制成的吗？
第一步，硅提炼及提纯芯片是由单质硅制成的，但自然界中并没有天然的单质硅，大都以硅的氧化物（二氧化硅、SiO2）形态存在，二氧化硅恰好是沙子的紧张身分。
芯片所利用的沙子并非我们日常在海滩、河道、建筑工地等所见的那种，由于这种沙子含有赤色、黄色、橙色的杂质，提纯难度更大。
芯片利用的沙子叫硅砂，这种沙子险些没有其他的杂质，便是纯净的二氧化硅。那么如何把二氧化硅变成单质硅呢？
工业上常常用碳在高温下还原二氧化硅，然后制得含有少量杂质的粗贵。
化学式：SiO2+2C==高温==Si+2CO↑
我们将二氧化硅和碳充分稠浊，然后放入电弧炉中，加热到2000℃以上，在高温下，碳会与二氧化硅发生反应，炉膛底部会留下单质硅，而CO变为气体排出。
之后再用氧气对硅进行处理，把钙、铝等杂质去除，得到纯度为99%的单质硅。这个纯度远达不到制造芯片的标准。
为了进一步提纯单质硅，我们须要将其研磨成粉状，然后加入氯化氢，放入流化床反应器中，加热到300℃让其充分反应，天生三氯硅烷，同时去除铁、硼、磷等杂质。
三氯硅烷连续加热到1000℃，然后与氢气反应，终极形成纯度为99.999999%的单质硅，这个级别的硅就可以用来制造芯片了。
但此时的单质硅只能算多晶硅，由数量浩瀚的小晶体或者微晶构成，这些小晶体之间的连接处有晶界，晶界会导致电子旗子暗记混乱，因此必须变动硅的构造，使其变成单晶硅。
第二步单晶硅成长多晶硅变单晶硅的过程叫做直拉单晶技能，又称长晶。它的工艺流程为：熔化一→缩颈成长一→放肩成长一→等径成长一→尾部成长。
熔化：大略来说便是将多晶硅加入石英锅内，加热到熔点以上（1420℃），全体工程不能打仗空气，因此长晶炉一样平常都是抽成真空，然后加入氩气。
缩颈成长：将眇小的晶粒放入熔化的硅熔体中，由于温度差导致打仗面产生热应力，形成位错，此时快速提升，使长出的籽晶直径减小到46mm旁边。
而放肩成长便是将晶体的直径放大至所需的尺寸，该过程须要把稳降温、减小拉速。
等径生产，便是保持晶体直径不变，持续拉长的过程。
尾部成长与放肩成长过程相反，当直径缩小至一个点时，晶棒就会与硅熔体分离。全体长晶过程结束。多晶硅也就变成了单晶硅棒，也便是我们常说的硅锭。
目前硅锭的直径大都为150mm、300mm、450mm三种，用于制造8英寸、12英寸的晶圆。
第三步制成晶圆硅晶棒是无法直接进行刻蚀的，它须要经由割断、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻等程序后，才能成为芯片制造的基本材料——“晶圆”。
晶圆的切片方法有传统的机器切割（划片）和激光切割（切片）。
机器切割是直接将钻石锯片浸染在晶圆表面，产生应力，使其分割。切割宽度一样平常为25－35μm之间，速率为8－10mm／s，切割慢，不同规格须要不同的刀具。
此外，机器切割随意马虎造成晶圆崩边、破损等征象。
而旋转砂轮式切割虽然可以降落晶圆破损，但须要去离子水冷却，又导致本钱较高。于是发明了新型激光切割。
激光切割不会产生机器应力，大大地担保了晶圆的质量。
此外激光的精确度更高，可以达到亚微米级别，非常适宜精密加工，在强大的脉冲能量下，硅材料直接汽化产生均匀的沟道，实现切割。
激光切割速率更快，且不须要冷却水，更不会涌现磨损刀具的问题，可以24小时不间断作业。
激光对晶圆有更好的兼容性和通用性。
切割后的晶圆再通过氧化、化学气相沉积等方法进行镀膜，使表面形成一层SiO2薄膜，并在SiO2薄膜中进行N型、P型掺杂。
是不是很多网友认为晶圆就像一张DVD光盘，实在并非如此，晶圆不是标准的圆形，一样平常都会切出一个边，当作类似三角形的“底”，成为“有底的圆”。
芯片制造芯片制造是最繁芜的工艺，仅仅大略地走一遍流程就须要20多道，而真正的要制造一款手机芯片，须要几百道，乃至是几千道工序。
这里只讲一讲紧张的工序。
芯片制造的紧张流程为：洗濯、预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、显影、竖膜、刻蚀、去胶。
1、洗濯
洗濯的目的便是去除金属离子，确保晶圆无污染、无针孔、无毛病。详细步骤如下：
1、利用强氧化剂洗濯液，使晶圆表面的金属离子溶解在洗濯液中；
2、用H+去除残留在晶圆表面的金属离子；
3、用去离子水洗濯晶圆，彻底打消洗濯液。
2、预烘
晶圆洗濯完毕后，要进行烘干，确保无残留的洗濯液，更有利于底胶的涂覆，并把晶圆温度保持在80℃旁边。
3、涂底胶
为了增强光刻胶与晶圆的粘附性，须要涂一层底胶，底胶涂覆的时候须要环境温度保持在100℃旁边。
4、光刻胶涂覆
光刻胶是感光树脂、增感剂和溶剂组成的稠浊液体，被紫外光、电子束、X射线照射后，溶解度会发生变革。
方法：晶圆在1000℃的高温中进行氧化，然后用涂胶机将光刻胶均匀地涂在晶圆表面。
5、前烘
前烘的目的是将光刻胶的溶剂蒸发掉，使光刻胶均匀地粘附在晶圆表面，而且烘干后的光刻胶涂层更薄。
6、对准
对准操作时，对精度哀求极高，这绝对是对技能和设备的重大磨练。
哀求对准精度为最细的线宽1/10旁边，同时精度随着芯片的制程变革。例如：5nm工艺的芯片对准精度就达到了1nm。
7、曝光
曝光就类似于摄影机按快门，当紫外光对涂有光刻胶的晶圆照射时，光刻胶就发生了化学反应。
正胶曝光部分在显影液中被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中不用融，而没有曝光的胶层却被溶解掉。
8、显影
被曝光后的晶圆放入显影液中，感光区的光刻胶就会溶解，这一步完成后，晶圆上的电路图就显现出来了。
9、竖模
显影工序后，形成了无光刻胶的显性图形和有光刻胶的隐性图形，这个图形组合可以作为下一步的模版。
10、刻蚀
刻蚀可以选择性地移除晶圆上的特定部分，并对边缘轮廓修整或表面清洁等。刻蚀工艺紧张有两大类：湿法刻蚀和干法刻蚀。
刻蚀对付器件的电学性能十分主要。如果刻蚀过程中涌现失落误，将造成难以规复的硅片报废。
11、去胶
以上工艺全部结束后，要把光刻胶去除，采取等离子、分外溶剂、等方法。
这仅仅是一次操作，实际上制造芯片时，须要不断地重复以上操作。每加入一个层级就要进行一次光刻，终极形成一个多层的立体构造型的芯片。
为了防止芯片的刮损，同时更方面的与其它元器件连接，还要对芯片进行封装。
末了封装手机芯片制造完成后，只有指甲盖大小，并且非常薄，稍有不慎就会刮伤破坏，导致前面做的一系列事情子虚乌有。
而芯片封装便是给芯片安装一个外壳，可以有效地固定、保护、密封、连接芯片。
芯片封装后的金属接脚切实其实便是与外界沟通的桥梁，这些桥梁将芯片与电路板有效的连接起来，让芯片更安全、高效的发挥浸染。
封装流程紧张有：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋成型。
常见的封装办法有两种： DIP 封装、 BGA 封装
DIP 封装：
DIP封装即双排直立式封装，采取此封装的 IC 芯片在双排脚下，看起来会像条玄色蜈蚣，让人印象深刻，此封装法为最早采取的 IC 封装技能。
优点：本钱低廉、适宜小型且不须要接太多线的芯片。
缺陷：散热效果较差，无法知足现行高速芯片的哀求。
BGA 封装：
以金线将芯片接到金属接脚，
优点：体积小、容纳更多的接脚；
缺陷：工艺繁芜、本钱较高。
封装完成后，再进行功能、电气、安全、环境、机器等方面的测试，就大功告成了。
写到末了沙子变为高端芯片是一个极其繁芜而精密的过程，目前没有任何一个国家可以单独完成这项任务。
这项过程不仅须要大量的专业技能，也须要很多精密的设备，和性能不同的化学试剂。这对每个国家都是磨练。
我国在该领域起步晚，底子薄，但发展速率非常快，相信假以时日，在科研职员的努力下定能独立打造出高端芯片。
我是科技铭程，欢迎共同谈论！
