等效串联电感（ESL）低，为了优化高频特性，电容器适宜用于见告运作的电子设备电源去耦。
2. 有效减少元器件数量。
利用了低ESL电容器，可坚持与2端子电容器相同功能，并减少元器件数量。
IC = integrated circuits 集成电路 LSI= Large Size Integrated circuits. = 大型集成电路
IC开关速率的高速化使IC本身很随意马虎变成噪声源，为理解决这种高频噪声和抑制电源电压颠簸，如图所示，很多MLCC将被当做旁路电容来利用。不才图中，从IC的HOT端子（电源管脚）开始，路子MLCC，直至IC的GND端子，电流回路所产生的阻抗我们在此称为回路阻抗。IC的HOT-GND之间所产生的电源电压颠簸依赖于此回路阻抗的大小。为此，为了掌握电源电压颠簸，首先须要降落回路阻抗。此时，MLCC的阻抗就成为回路阻抗的一部分。为减小回路阻抗，常日须要将多个MLCC并列连接，根据并联效果减小总阻抗。这次所利用的MLCC其布局及等效回路如图右下角所示，虽为电容器，等效串联电阻：ESR，等效串联电感：也有ESL，而这个中的ESL是增大高频回路电感的紧张缘故原由。本次所先容的低ESL电容器如后面所述，是为降落ESL而制成的MLCC的一种。通过将低ESR电容器作为旁路电容器来利用从而减小回路阻抗。此外，MLCC被ESR电容器更换后可以减少并联利用数目，从而大幅减少数量以及贴装面积。
接着就低ESL电容器的布局及上风进行解释。低ESL电容器有2种，即长宽逆转电容器和3端子电容器。常日情形下MLCC的ESL随着电流流动间隔长度的加长而增加，宽幅增大时减小，因此在长宽逆转电容器的布局中通过缩短电流间隔、增大走线宽度来实现低ESL。在3端子电容器内部电极布局中，HOT贯通电极与GND贯通电极相互交替叠加。因此，当电流朝绕行方向流动时，电流间隔缩短，走线幅度增长，从而实现了低ESL。此外，3端子电容器的电流流动路线由4条构成，通过并列效果，更进一步实现了低ESL。还有，电流沿着GND方向、画面的高下方向流动。通过电流产生的相互电感可进一步得到低ESL效果。
3. 有效静噪作为EMI滤波器
4.实际利用案例图片
部分内容整理自村落田（Murata ）官网
