专利择要显示,本公开供应了一种时钟旗子暗记延时检测电路与延时确定方法,涉及半导体技能领域。该时钟旗子暗记延时检测电路包括:使能旗子暗记产生单元用于在不同的韶光段产生对应的使能旗子暗记;时钟旗子暗记延时复制单元产生的第一时钟旗子暗记与待测时钟旗子暗记的延时相等;计数单元在第一韶光段根据第一使能旗子暗记对时钟旗子暗记进行计数得到第一计数值;在第二韶光段根据第二使能旗子暗记对时钟旗子暗记进行计数得到第二计数值;第一韶光段与第二韶光段内待测芯片至少完成一次自刷新操作;处理单元根据第一计数值、第二计数值确定待测时钟旗子暗记由于第一参数造成的延时编码。办理了目前DDR5的时延校准实时性较差的技能问题,达到了提高待测芯片时延校准实时性的技能效果。
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