可编程晶振调解频率怎么弄呢？_负载_电容

过高的驱动电平可能导致更高的振荡频率或更大的R1。
如何衡量驾驶水平如果实际负载电容与规格中规定的负载电容不同，实际振荡频率可能与晶体单元的标称频率不同。
这个频率差可以通过以下方法来调度：

电路板上的负载电容彷佛大于6pF。
因此，利用8pF作为负载电容会改变指定的30MHz合时晶体振荡器单元。
通过这种改变，实际振荡频率由30MHz降落到5ppm，频率差可以调节，这些方面都是根据自己的需求进行选择。

晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值。
主要的是，压电合时晶振单元的实际驱动水平在驱动水平规格内。
过高的驱动电平可能导致更高的振荡频率或更大的R1。
请参考下面如何衡量驾驶水平：如果要降落驱动级别，可以采纳以下方法：

通过改变阻尼电阻，反相放大器的输出幅度衰减，实际驱动电平变低。
通过这种变革，振荡幅度会减小。
因此，最好检讨振荡裕量是否超过5倍。
此外，应把稳不要使振荡幅度过小。

通过改变外部负载电容，由于振荡电路的高阻抗，实际驱动电平变低。
在这种情形下，由于负载电容较小，合时晶振的实际振荡频率变高。
因此，最好检讨实际振荡频率是否在所需的频率范围内。

晶体单元的振荡频率根据其规格中规定的负载电容进行分类。
因此，如果实际负载电容与规格中规定的负载电容不同，实际振荡频率可能与晶体单元的标称频率不同。
这个频率差可以通过以下方法来调度：

调度外部负载电容。
为了改变外部负载电容，实际振荡频率变低。
如果外部负载电容较大，请把稳振荡裕量会较低。
外部负载电容较大时，振荡幅度可能很小。
改换不同负载电容的晶振单元。
为了运用负载电容大的晶胞，实际振荡频率变高。
比如：须要30MHz的频率，用一个指定频率为30MHz的晶振单元作为负载电容，额定频率为6pF。
确认实际振荡从30MHz低至30ppm。
振荡电路可能无法在晶体单元的标称频率附近事情，这被称为“不规则振荡”，然后根据干系的解释操作即可。