具有更高输出额定值的适配器常日更贵。为了降落本钱，您可能想利用额定值较低的适配器，但这样做须要带有基于电流的DPM功能的充电器，以防止适配器过载。此保护是为了防止总系统负载和电池负载超过适配器可以供应的总功率。例如，bq24133等具有基于电流的DPM的充电器可以处理宽输入电源而不会发生过载（图1）。
为了得到峰值系统性能，还须要DPPM功能，以便充电器可以以补充模式事情，使电池可以通过电池FET为系统供应电源，而不是必须充电（图2）。在设计时，该当考虑性能和本钱之间的权衡。更高的性能常日与更高的成本相关。诸如TI的bq24610等充电器掌握用具有DPM和DPPM掌握，可支持高达10A的充电电流。
已经对DPM和DPPM有了更好的理解，我们现在可以磋商充电拓扑构造。三种最常见的充电拓扑构造是传统拓扑构造，稠浊拓扑构造和窄VDC（NVDC）拓扑构造。
对付传统拓扑构造充电器如bq24170、同步开关模式独立电池充电器和bq24725A SMBus充电掌握器，系统轨可以达到最大适配器电压。如果从电池操作，系统电压可以低至最小电池电压。高压输入源可能导致系统轨的大幅摆动（图3）。利用此拓扑构造的优点是系统从输入源可以得到最大功率。其缺陷是办理方案总本钱高，由于元件须要处理高功率，以是更贵。
在一些运用中，系统仅须要峰值功率运送。设计用于正常运行的适配器不能知足峰值功率需求，而且传统的充电拓扑构造不许可电池在补充模式下事情供应额外的功率。这一问题的办理方案是稠浊充电拓扑构造，如图4所示。
在稠浊充电拓扑构造中，电池可以以升压模式中向系统供应额外的功率用于峰值功率运送。bq24735和bq24780S等电池充电器IC属于这一类拓扑构造。稠浊充电拓扑构造也称为“涡轮增压”模式。这种拓扑构造在条记本电脑运用中非常盛行。
传统和稠浊充电拓扑构造都须要系统轨来处理与输入源相同的高电压。然而，在一些运用中，系统轨须要采取较低额定值的元件以降落本钱。在这种情形下，可以考虑bq24770或bq24773等产品中含有的NVDC拓扑构造，通过掌握电池FET使系统电压与电池电压非常靠近，如图5所示。
在设计充电系统时，必须平衡性能、功能和解决方案本钱。选择精确的拓扑构造和设备可以实现更高的效率，同时保持最低的办理方案本钱。有关为您的设计选择精确电池充电器的更多信息，请访问文章来源https://e2echina.ti.com/blogs_/b/fully_charged/archive/2016/10/16/52530
