8月26日，国产半导体氮化镓激光芯片在安徽六安实现量产，从实验室里出身到量产，仅用了180天，这意味着我国在氮化镓激光芯片领域实现打破。
冲破美日垄断，改变高价入口局势
这款氮化镓激光芯片由安徽格恩半导体有限公司发布，与此同时，格恩半导体还发布了一系列包括蓝光、绿光、紫光等十多款氮化镓激光芯片产品，这些产品关键性能指标已达到国外同类产品的前辈水平，得到中国科学院院士江风益切实其实定。
这一系列产品的发布，标志着我国在半导体领域得到了一项重大技能打破，这将对我国高端芯片家当、光电子器件以及全体半导体家当链的发展带来深远影响。
在此之前，我国在氮化镓激光芯片领域一贯处于掉队并依赖国外入口的状态。比如日本的日亚化学、索尼、夏普等企业，在氮化镓蓝光和紫外激光芯片方面霸占了绝对上风；美国的Transphorm、飞利浦等企业，在氮化镓绿光和红外激光芯片方面也有较强竞争力。这些企业不仅节制了核心技能和专利权利，而且还采纳了高价位和限量供应的策略，使得我国企业险些全部依赖入口，并且价格昂贵。据统计，我国每年入口的氮化镓激光芯片代价超过10亿美元。
虽然我国镓金属的储量巨大，为环球第一，但却由于技能上的欠缺，我们一贯处于低价出口干系低级产品、高价入口核心技能深加工后的产品的尴尬田地。
因此，我国亟需在氮化镓激光芯片实现自主化替代。近年来，在国家支持与勾引下，我国建立了一批氮化镓激光芯片的研发和生产基地，培养了一批专业人才，加速占领这一赛道技能难关。
格恩半导体实现氮化镓激光芯片的量产，意味着我国终于在这一领域实现打破，补充了国产氮化镓激光芯片的空缺，我们在这一领域拥有了更多自主权与话语权。
中国科学院院士江风益表示这一打破可喜可贺
一项技能，从实验室到量产须要经由长期研究与打磨，六安实验室如今迈出了如此主要的一步，具有里程碑性的意义。
第三代半导体材料氮化镓，有多主要？
我们知道，目前半导体材料分为三代，分别是硅基、锗基材料为代表的第一代、以砷化镓和磷化铟为代表的第二代以及以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料。
个中，第三代半导体材料以其独特的性能和运用代价，近年来引起业界广泛关注，被许多发达国家已经列入国家操持，进行全面支配。
特殊是氮化镓，它与碳化硅比较，具有禁带宽度大、击穿电场强、导通电阻低、电子迁移率高、转换效率高、热导率高、损耗低等优点。由于其商业化进展快，氮化镓有望领跑第三代半导体市场。
未来，氮化镓将不再局限于消费电子市场，而是广泛运用于通信、打算机、汽车电子、航空航天、国防军工等传统家当领域。估量到2026年，环球氮化镓元件市场规模将达到423亿美元，即打破千亿公民币。
然而，由于氮化镓激光技能壁垒较高，长期以来被国外少数企业垄断。因此，为冲破这一局势，在国家与安徽政府政策支持下，今年2月25号，具有完备自主知识产权的国产半导体氮化镓激光芯片在安徽格恩半导体有限公司的实验室里出身。之后，仅仅时隔180天，国产半导体氮化镓激光芯片就已走出实验室，走上生产线正式量产，实现了国产化，解释我国研发职员在这一方面已拥有一定的技能实力。
只管未来，在氮化镓家当链发展中，我们依然将面临诸多寻衅，但六安格恩半导体取得的这项打破给业界带来信心，正如江风益院士所说：“期待未来在国际的高端市场上，我们国产的氮化镓激光芯片能够霸占一席之地。”
