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高德红外6月3日晚间发布公告，公司研发的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器项目近日通过了国家技能转移中部中央的评审，该探测器芯片为1280×1024规模、12μm像元尺寸，这是高德红外继节制了非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技能后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大打破。
专家组认为，该探测器芯片经测试，紧张技能性能指标达到或优于国际同类产品指标。该项目是范例的高新技能军民两用产品，具有良好的社会效益和经济效益前景，建议进一步加快延伸开拓及推广运用。
高德红外表示，该探测器芯片利用的敏感材料、最大面阵及最小像元等指标都代表着我国制冷型红外探测器芯片研发与制造的最高水平，大幅提升了红外热像仪系统的空间分辨率，提高了探测间隔、识别间隔，大力推动了红外焦平面探测器芯片技能朝大面阵规格、小像元尺寸方向发展。
高德红外现已建成的制冷探测器芯片批产线，该项目研制成功将大幅度提升高端红外热成像产品性能指标，可达到国际前辈水平，为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片家当化肃清障碍，冲破红外成像系统中高端核心芯片的技能垄断、实现入口替代，有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片家当核心能力的提升。（李万晨曦）
（编辑上官梦露策划李万晨曦）
本文源自证券日报
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