二极管有两个事情状态，分别是导通与截止。
导通时，电流不为0，其值取决于外电路，而两端电压基本不变，硅管为0.7V，锗管为0.2V，空想二极管为0V。
截止时，通过二极管的电流为0A，即二极管相称于断开。
判断二极管导通与截止的步骤是：先断开二极管，然后打算两个断点的电位差，即电压。若电压大于二极管的导通压降，则接入二极管后，二极管将导通。若电压小于二极管的导通压降，则接入二极管后，二极管是截止的，等同于没接。
把稳，若断开二极管时两个断点电压大于二极管的导通压降，比如两个断点电压为2V，则接入二极管后，二极管导通，两点之间的电压变为二极管的导通压降，比如0.7V（Si）或0.2V（Ge），不再是2V，由于电路发生了改变。
稳压管是一个分外的二极管，除了判断是否被反向击穿以外，还要判断其能否安全事情，即功耗要小于其最大功耗Pzm。
2、三极管
三极管有三个事情区，分别是截止、放大与饱和。
截止时，三极管电流均为零；放大时，ic=βib，且集电结反偏；饱和时，ic＜βib，且集电结正偏。深度饱和时，ic最大，uce数值最小，硅管为0.3V，锗管为0.1V。
判断三极监工作区的步骤是，首先看三极管的发射结加的电压是正偏还是反偏，反偏时三极管是截止的。若发射结正偏，且外加电压大于PN结的导通压降，则三极管导通。导通时三极管可能处于放大区，也可能处于饱和区。此时可假设三极管处于放大区，然后打算电流ic=βib和电压uce，若uce＞ube（以NPN为例），即集电结反偏，则三极管处于放大区，否则为饱和区，即假设缺点。
3、运放芯片
运放芯片实质是一个采取差分电路作为第一级的多级放大电路。多级放大是为了提高放大倍数，采取差分电路作为第一级是为了抑制温漂，同时提高输入电阻。
运放芯片有两个事情区，分别是线性区与饱和区。
在线性区时，输出电压uo与差分输入(up-un)之间为线性关系，随着差分输入的变革而变革。在饱和区时，输出电压uo只有两个数值，而该值取决于差分输入的正负，与差分输入的大小无关。(up-un)＞0时，输出uo=+Uo(sat)；(up-un)＜0时，输出uo=-Uo(sat)。
判断单个运放是否处于线性区的步骤是看运放是否存在负反馈，即是否存在输出端到反相输入真个反馈通道。若有，则运放工作在线性区，可用虚短与虚断两个观点去剖析并求解电路；若无，则运放工作在饱和区，只能用虚断，而不能用虚短剖析电路。
