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专利择要显示,本发明涉及一种用于5G通讯芯片保护的底部添补材料,采取自合成联苯酚型环氧树脂和萘酚型环氧树脂共混改性,再依次加入环氧改性硅油、稠浊填料、十二烯基丁二酸酐、1‑氰乙基‑2‑乙基‑4‑甲基咪唑,经稠浊均匀,真空脱泡处理后,得到底部添补材料。本发明引入联苯构造和联萘构造,可显著降落底部添补材料的介电常数。采取球形氮化铝和空心聚苯乙烯微珠的稠浊填料能极大改进底部添补材料的导热性能和介电性能。本发明制备的底部添补材料具有低介电性能、高导热性能、耐热性能好、耐高低温性能好等优点,适用于各种高速率、高频段5G移动通讯芯片的封装和保护。
本文源自金融界