IBM搞定5nm芯片工艺 指甲大年夜小芯片可放置300亿晶体管_晶体管_芯片

IBM与研发同盟的互助伙伴一起开拓了一种新的5nm芯片，与目前市场上可用的10nm芯片比较，在相同的功率下将性能提高了40％。

这一次，IBM并没有去用FinFET（鳍场效应）制造，而是堆叠硅纳米片作为晶体管的器件构造，被称为GAA（全包围栅极）晶体管。
在5nm指甲尺寸的测试芯片装了300亿个晶体管。

他们利用的方法称为极紫外光刻（EUV）。
两年前，他们利用相同的方法创建了一个具有200亿个晶体管的7nm测试节点。

除了设备尺寸缩小之外，这些仍旧远未被商业化的芯片可以帮助我们为IoT设备实现更美好的未来，加速认知打算，增强基于云的运用，并且可能是移动设备电池输出的两倍。

根据IBM的说法，他们最新的进展，为具有高于基于FinFET性能的堆叠纳米芯片装置打开了方便之门，已经成功地证明了这种设备的可行性。

IBM指出，“利用EUV光刻技能，可以在单个制造处理器芯片设计中连续调度纳米片的宽度。
这种可调性许可对特定电路的性能和功耗进行微调，这在本日的FinFET晶体管架构生产中是不可能的，这受到其载流鳍片高度的限定。
”

IBM认为目前的FinFET技能对付创建5nm芯片而言效率低下。