LT1910[2] 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端（电源端）N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵，无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。
LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流，则自动关闭MOS驱动，关闭的韶光由外部电容设定。
LT1910可以被用于汽车、航空、工业等各种恶劣环境场合，在供电电压从-15V ~ +60V 都不会损毁LT1910。
2.基本运用电路
▲ 低端MOS管掌握模式
03实验电路1.建立AD元器件在SCH.LIB中的器件：LT1910，封装SOP-8。
▲ 基本事情电路以及封装管脚定义
2.实验电路模块(1) 事理图设计(2) 快速实验电路板制作表格3.1 端口功能定义PIN1 PIN2 PIN3 PIN4 PIN5 PIN6 +5V GND IO FAULT GATE SENSE
04测试MOS管1.实验电路测试MOS管 型号： CSD19535[3] ：超低Qg,Qgd。
2.面包板上的电路
▲ 设置在电路板上的实验电路
3.事情静态电压(1) 事情电压5VVCC GND IO FAULT GATE SENSE 4.990700 0.000315 0.000289 0.007926 0.045768 4.990900
VCC GND IO FAULT GATE SENSE 4.987800 0.000454 4.988100 1.218000 3.917100 4.985400
(2) 事情电压12VVCC GND IO FAULT GATE SENSE 11.989000 0.000440 0.000365 0.006063 0.037942 11.991000
VCC GND IO FAULT GATE SENSE 11.916000 0.077651 11.913000 1.400900 19.738001 11.916000
(3) 事情电压与栅极电压设置LT1910不同的事情电压，将IO设置与VCC一样。GATE输出电压与事情电压之间的关系如下图所示。
▲ 事情电压与栅极电压
从中可以看到：
LT1910只有在事情电压大于5.4V 之后，内后的栅极升压电路才开始事情。在3V ~ 5.4V之间输出的电压与事情电压同步增加。下面是事情电压从0 ~ 24V。输出的Vgate的电压。比拟于数据手册给出的特性表格，之间是相互符合的。
▲ 事情电压与Vgate
▲ 事情电压与输出Vgate
4.测试LT1910动态特性
▲ 测试LT1910的输入和输出波形
输入旗子暗记与输出之间大约有400us的延迟。
▲ 输入与输出之间的延迟
※ 结论通过实验数据，可以得到：
LT1910事情电压须要大于5.4V，只管即便大于6V；对付LT1910事情电压大于16.1V之后，驱动MOS的栅极电压饱和在12V旁边。参考资料[1] STC单片机功率掌握下载板: https://zhuoqing.blog.csdn.net/article/details/108409827
[2] LT1910: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/1910fc.pdf
[3] CSD19535: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19535kcs.pdf
